Nyheter: mikroelektronik
31 mars 2021
Cree | Wolfspeed of Durham, NC, USA har introducerat fyra nya flerstegs galliumnitrid på kiselkarbid (GaN-on-SiC) monolitiska mikrovågsintegrerade kretsar (MMIC), vilket utökar sitt utbud av RF-lösningar för en mångfald av pulsade och kontinuerliga kretsar. wave X-band phased-array-tillämpningar, inklusive marin, väderövervakning och framväxande obemannade flygsystemradarer.
Med hjälp av Wolfspeed GaN-on-SiC-teknik, levererar de nya enheterna hög effekttillförd effektivitet (PAE) i små industristandardpaket som tillåter designers att uppnå maximal prestanda med mindre system som förbrukar mindre ström, säger företaget.
“Cree | Wolfspeeds nya X-band-erbjudanden ger dagens designingenjörer ett brett utbud av alternativ för system som kräver högeffektiva sändningslösningar i utmanande formfaktorer som de som behövs för aktiva radartillämpningar med fasad array, säger Jim Milligan, senior director gjuteri, flyg- och rymdfart. & försvar på Cree | Wolfspeed. "Genom att använda Wolfspeed GaN-on-SiC-lösningar kan de möta de kritiska RF-systemkraven relaterade till mindre storlek, lättare vikt och högre effekt (SWaP) samtidigt som de når nya nivåer av prestanda", tillägger han.
Företagets X-band-portfölj erbjuder lösningar som stöder flera steg av förstärkning, vilket minskar antalet enheter som behövs i en sändningskedja. De finns i en mängd olika effektnivåer för att optimera systemets prestanda och erbjuds i flera plattformar för att optimera systemarkitekturen.
Källa: http://www.semiconductor-today.com/news_items/2021/mar/wolfspeed-310321.shtml
