Novice: Microelectronics
31 marca 2021
Cree | Wolfspeed iz Durhama, NC, ZDA je predstavil štiri nove večstopenjske naprave z monolitnim mikrovalovnim integriranim vezjem (MMIC) iz galijevega nitrida na silicijevem karbidu (GaN-on-SiC), s čimer je razširil svojo paleto RF rešitev za raznoliko paleto impulznih in neprekinjenih aplikacije s faznimi zaporedji valov X-pasu, vključno z radarji za pomorski, vremenski nadzor in nastajajočimi zračnimi sistemi brez posadke.
Z uporabo tehnologije Wolfspeed GaN-on-SiC nove naprave zagotavljajo visoko učinkovitost z dodano močjo (PAE) v majhnih industrijskih standardnih paketih, ki oblikovalcem omogočajo doseganje največje zmogljivosti z manjšimi sistemi, ki porabijo manj energije, pravi podjetje.
“Cree | Wolfspeedove nove ponudbe X-band ponujajo današnjim oblikovalskim inženirjem široko paleto možnosti za sisteme, ki zahtevajo visoko učinkovite oddajne rešitve v zahtevnih oblikah, kot so tiste, ki so potrebne za aktivne radarske aplikacije s faznimi nizi,« pravi Jim Milligan, višji direktor livarne, vesoljska industrija. & obramba pri Cree | Wolfspeed. »Uporaba rešitev Wolfspeed GaN-on-SiC jim omogoča, da izpolnijo kritične RF sistemske zahteve, povezane z manjšo velikostjo, manjšo težo in večjo močjo (SWaP), hkrati pa dosegajo nove ravni zmogljivosti,« dodaja.
Portfelj podjetja X-band ponuja rešitve, ki podpirajo več stopenj ojačenja, kar zmanjšuje število naprav, ki so potrebne v oddajni verigi. Na voljo so v različnih ravneh moči za optimizacijo delovanja sistema in so na voljo na več platformah za optimizacijo sistemske arhitekture.
Vir: http://www.semiconductor-today.com/news_items/2021/mar/wolfspeed-310321.shtml
