Pogonsko vezje vrat brez pospeševalnega kondenzatorja za tranzistor z vbrizgavanjem vrat GaN

Tehnični članek z naslovom »Gate Drive Circuit Suitable for a GaN Gate Injection Transistor« so objavili raziskovalci na univerzi Nagoya.

Minimalizem
»GaN gate injection tranzistor (GIT) ima velik potencial kot močnostna polprevodniška naprava. Vendar pa ima GaN GIT karakteristiko diode na viru vrat, zato je potrebno ustrezno vezje pogona vrat. Več študij v literaturi je predlagalo pogonska vezja vrat s pospeševalnimi kondenzatorji, vendar dodajanje teh kondenzatorjev zaplete pogonsko vezje vrat in poveča izgube pogona in povratne prevodnosti. Poleg tega postane pogon GaN GIT s takšnimi pogonskimi vezji vrat bolj dovzeten za lažni vklop. V tem prispevku je predlagano vezje pogona vrat, primerno za GaN GIT brez pospeševalnega kondenzatorja. Ta tip lahko zagotovi visokohitrostno preklapljanje in kaže nizko izgubo pogona vrat in izgubo povratnega prevoda. Predlagano vezje ima tudi visoko odpornost proti lažnemu vklopu in stabilno napetost izvora pred in po zagonu. Izguba pogona predlaganega tipa je izračunana in njena veljavnost potrjena eksperimentalno. Poleg tega se izguba pogona predlaganega tipa primerja s konvencionalnimi vezji. Rezultat kaže, da je izguba pogona predlaganega tipa izboljšana do 50 % v primerjavi s konvencionalnim tipom. Nazadnje je predlagani tip eksperimentalno preizkušen za pogon pretvornika za pretvornik pri preklopni frekvenci 150 kHz. Celotna izguba pretvornika se lahko zmanjša za do 9.2 % pri 250 W v primerjavi s konvencionalnim tipom.”

Najdi tehnični papir tukaj. Objavljeno aprila 2023.

F. Hattori, Y. Yanagisawa, J. Imaoka in M. Yamamoto, »Gate Drive Circuit Suitable for a GaN Gate Injection Transistor«, v IEEE Access, doi: 10.1109/ACCESS.2023.3270261.

Sorodno branje
Napajalne naprave GaN: vprašanja stabilnosti, zanesljivosti in robustnosti
Močnostni polprevodniki: Poglobljen potop v materiale, proizvodnjo in poslovanje
Kako so te naprave izdelane in delujejo, izzivi v proizvodnji, s tem povezani zagoni, pa tudi razlogi, zakaj se toliko truda in sredstev porabi za razvoj novih materialov in novih procesov.

• Distribucija vsebine in PR s pomočjo SEO. Okrepite se še danes.
• PlatoAiStream. Podatkovna inteligenca Web3. Razširjeno znanje. Dostopite tukaj.
• Kovanje prihodnosti z Adryenn Ashley. Dostopite tukaj.
• Kupujte in prodajajte delnice podjetij pred IPO s PREIPO®. Dostopite tukaj.
• vir: https://semiengineering.com/gate-drive-circuit-without-a-speed-up-capacitor-for-a-gan-gate-injection-transistor/