Свойства современных коммерчески доступных силовых SiC и GaN транзисторов

Технический документ под названием «Обзор и перспективы силовых устройств на основе GaN и SiC: современное состояние промышленности, применение и перспективы» был опубликован исследователями из Университета Падуи.

Абстрактные:

«Мы представляем всесторонний обзор и обзор транзисторов из карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN), доступных на рынке силовой электроники текущего и следующего поколения. Впервые обсуждаются свойства материалов и структурные различия между устройствами GaN и SiC. На основе анализа различных коммерчески доступных силовых транзисторов GaN и SiC мы описываем современное состояние этих технологий, подчеркивая предпочтительные топологии преобразования энергии и ключевые характеристики каждой технологической платформы. Также рассмотрены текущие и будущие области применения устройств GaN и SiC. В статье также сообщается об основных аспектах надежности, связанных с обеими технологиями. Для GaN HEMT описаны стабильность порогового напряжения, динамическое сопротивление открытого состояния и ограничение пробоя, тогда как для SiC MOSFET анализ также фокусируется на отказе оксидов затвора и устойчивости к короткому замыканию (SC). Наконец, мы даем обзор перспективы таких материалов в различных областях интересов. Нарисовано указание возможных будущих улучшений и разработок для обеих технологий. Подчеркиваются требования к гибридным преобразователям, а также тщательная оптимизация производительности и использование инновационных инструментов оптимизации».

Найдите технический документ здесь. Опубликовано в январе 2024 г.

М. Буффоло и др., «Обзор и перспективы силовых устройств на основе GaN и SiC: современное состояние промышленности, приложения и перспективы», в IEEE Transactions on Electron Devices, doi: 10.1109/TED.2023.3346369.

Связанные Чтение
Силовые полупроводники: глубокое погружение в материалы, производство и бизнес
Как производятся и работают эти устройства, проблемы в производстве, связанные стартапы, а также причины, по которым так много усилий и ресурсов тратится на разработку новых материалов и новых процессов.

• SEO-контент и PR-распределение. Получите усиление сегодня.
• PlatoData.Network Вертикальный генеративный ИИ. Расширьте возможности себя. Доступ здесь.
• ПлатонАйСтрим. Интеллект Web3. Расширение знаний. Доступ здесь.
• ПлатонЭСГ. Углерод, чистые технологии, Энергия, Окружающая среда, Солнечная, Управление отходами. Доступ здесь.
• ПлатонЗдоровье. Биотехнологии и клинические исследования. Доступ здесь.
• Источник: https://semiengineering.com/properties-of-the-state-of-the-art-commercially-available-sic-and-gan-power-transistors/