Полевые МОП-транзисторы Navitas GeneSiC используются в промышленных высокочастотных зарядных устройствах Exide

Новости: микроэлектроника

25 мая 2023

Компания Navitas Semiconductor из Торранса, Калифорния, США, занимающаяся разработкой силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC), сообщает, что ее силовые полупроводники GeneSiC были приняты французской компанией Exide Technologies для обеспечения надежности, безопасности и простоты использования. использование и оптимальная зарядка в своих высокочастотных быстрых зарядных устройствах для промышленного погрузочно-разгрузочного оборудования.

Являясь поставщиком устойчивых решений для хранения аккумуляторных батарей для промышленного и автомобильного рынков, Exide предлагает ряд свинцово-кислотных и литий-ионных решений для таких приложений, как тяговые аккумуляторы и решения для зарядки погрузочно-разгрузочного оборудования и робототехники, максимально увеличивая время безотказной работы парка при минимальной общей стоимости владения. .

В качестве силового полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной карбид кремния быстро заменяет кремниевые микросхемы в мощных и высоковольтных приложениях, таких как возобновляемые источники энергии, накопители энергии и микросети, электромобили (EV) и промышленные приложения. Технология SiC MOSFET с планарным затвором GeneSiC обеспечивает высокую эффективность и быстродействие, что приводит к снижению температуры корпуса до 25°C и увеличению срока службы до трех раз по сравнению с альтернативными продуктами SiC, утверждает Navitas. Фирма добавляет, что благодаря самым опубликованным 100% проверенным лавинным характеристикам, увеличенному на 30% времени выдерживания короткого замыкания и стабильному пороговому напряжению для простого параллельного подключения, GeneSiC MOSFET подходят для мощных приложений с быстрым выходом на рынок. .

Высокочастотные зарядные устройства Exide преобразуют напряжение переменного тока 220 В в напряжение на уровне аккумуляторной батареи от 24 В до 80 В для промышленных транспортных средств, работающих на свинцово-кислотных и ионно-литиевых батареях. В модуле мощностью 7 кВт используются МОП-транзисторы GeneSiC G3R60MT07D (750 В) и диоды Шоттки GD10MPS12A (1200 В) MPS с оптимизированной по частоте архитектурой. Та же платформа может быть модернизирована до 10 кВт с четырьмя параллельными модулями для обеспечения надежной быстрой зарядки мощностью 40 кВт.

«Exide Technologies обеспечивает полную, тщательно контролируемую быструю зарядку с тщательным мониторингом системы для критически важного погрузочно-разгрузочного оборудования, работающего круглосуточно и без выходных», — говорит д-р Доминик Марграф, директор по управлению продуктами Motion в Exide Technologies. «Технология GeneSiC от Navitas проста в использовании, отличается отличной поддержкой, повышенной эффективностью системы и меньшим охлаждением», — комментирует он.

Смотрите связанные элементы:

Полевые МОП-транзисторы Navitas GeneSiC используются в солнечных инверторах Steca мощностью 4.6 кВт от KATEK

Navitas приобретает GeneSiC, ускоряя выход на рынки электромобилей, солнечной энергии и накопителей энергии на 2-3 года.

Теги: Силовая электроника

Посетите: www.navitassemi.com

• SEO-контент и PR-распределение. Получите усиление сегодня.
• ПлатонАйСтрим. Анализ данных Web3. Расширение знаний. Доступ здесь.
• Чеканка будущего с Эдриенн Эшли. Доступ здесь.
• Покупайте и продавайте акции компаний PREIPO® с помощью PREIPO®. Доступ здесь.
• Источник: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/navitas-250523.shtml