Hexagonal Boron Nitride Memristors With Nickel Electrodes: Current Conduction Mechanisms & Resistive Switching Behavior (RWTH Aachen)

Переиздано Платоном

Читают: 0

Исследователи из Рейнско-Вестфальского технического университета Аахена и Института Питера Грюнберга опубликовали новую техническую статью под названием «Механизмы резистивного переключения и проводимости тока в гексагональных пороговых мемристорах из нитрида бора с никелевыми электродами».

Абстрактные:

«Двумерный изолирующий материал гексагональный нитрид бора (h-BN) привлек большое внимание в качестве активной среды в мемристивных устройствах благодаря своим благоприятным физическим свойствам, среди прочего, широкой запрещенной зоне, которая обеспечивает большое окно переключения. Формирование металлической нити часто предлагается для устройств h-BN в качестве механизма резистивного переключения (RS), обычно поддерживаемого узкоспециализированными методами, такими как кондуктивная атомно-силовая микроскопия (C-AFM) или просвечивающая электронная микроскопия (TEM). Здесь исследуется переключение пороговых мемристоров из многослойного гексагонального нитрида бора (h-BN) с двумя никелевыми (Ni) электродами через их механизмы проводимости тока. Состояние как высокого, так и низкого сопротивления анализируется посредством вольт-амперных измерений в зависимости от температуры. В качестве резистивного механизма переключения предлагается формирование и втягивание никелевых нитей вдоль дефектов бора в пленке h-BN. Электрические данные подтверждаются анализом ПЭМ, чтобы установить зависящие от температуры измерения тока и напряжения в качестве ценного инструмента для анализа явлений резистивного переключения в мемристорах, изготовленных из 2D-материалов. Мемристоры обладают широким и настраиваемым рабочим диапазоном тока и низкими токами в режиме ожидания, что соответствует современному уровню развития пороговых переключателей на основе h-BN, низкой межцикловой изменчивостью 2% и большим значением /Отношение 5⁷".

Найдите технический документ здесь. Опубликовано в мае 2023 г.

Фелькель, Л., Браун, Д., Белете, М., Катария, С., Уолбринк, Т., Классифицировать., Кистерманн, К., Майер, Дж., Мензель, С., Даус, А., Лемм, MC, Механизмы резистивного переключения и токопроводимости в гексагональных пороговых мемристорах из нитрида бора с никелевыми электродами. Adv. Функцион. Mater. 2023, 2300428. https://doi.org/10.1002/adfm.202300428.