Всестороннее исследование обнаружения дефектов полупроводников в изображениях SEM с использованием SEMI-PointRend
Обнаружение дефектов полупроводников является критически важным процессом в производстве интегральных схем. Важно выявить любые дефекты в производственном процессе, чтобы конечный продукт был высокого качества и соответствовал требуемым стандартам. Использование изображений сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) для обнаружения дефектов становится все более популярным благодаря ее способности обеспечивать подробные изображения поверхности полупроводника. Однако традиционные методы анализа изображений SEM ограничены в своей способности точно обнаруживать дефекты. Недавно был разработан новый метод под названием SEMI-PointRendering.