Navitas destacando aplicações de GaN e SiC na APEC

Republicado por Platão

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2 de fevereiro de 2024

Em seu estande nº 1353 'Planet Navitas' na Applied Power Electronics Conference (APEC 2024) no Long Beach Convention & Entertainment Center, Long Beach, CA, EUA (26 a 29 de fevereiro), CI de potência de nitreto de gálio (GaN) e silício A empresa de tecnologia de carboneto (SiC) Navitas Semiconductor Corp de Torrance, CA, EUA, está destacando como a tecnologia GaN e SiC está possibilitando as mais recentes soluções para habitação, transporte e indústria totalmente eletrificados. Os exemplos vão desde energia de TV até motores e compressores de eletrodomésticos, carregamento de veículos elétricos (EV), instalações solares/microrredes e sistemas de energia de data centers. Cada um destaca os benefícios para o usuário final, como maior portabilidade, maior alcance, carregamento mais rápido e independência da rede, além de foco em como a tecnologia GaN e SiC com baixa pegada de carbono pode economizar mais de 6 Gtons/ano de CO2 por 2050.

“Os portfólios complementares GaNFast e GeneSiC, com suporte abrangente ao design de sistemas específicos para aplicações, aceleram o tempo de lançamento do cliente no mercado com vantagens de desempenho sustentável”, afirma Dan Kinzer, diretor de operações/diretor de tecnologia e cofundador. “'Planet Navitas' representa a implementação muito real e inspiradora de GaN e SiC em toda a vasta oportunidade de mercado de US$ 22 bilhões/ano.”

As principais atualizações e lançamentos de tecnologia incluem GaNSafe (considerado o poder GaN mais protegido, mais confiável e de maior desempenho do mundo), ICs GaNSense Half-Bridge Gen-4 (os dispositivos GaN mais integrados), energia Gen-3 Fast SiC FETs (para desempenho de alta potência) e GaN bidirecional (para acionamento de motor e aplicações de armazenamento de energia).

Apresentações técnicas de Navitas na APEC

27 de Fevereiro

8h55 (IS05.2), 'Reduzindo o custo do sistema com HEMTs GaN em aplicações de acionamento de motor', por Alfred Hesener (diretor sênior Industrial e Consumidor);
10h40 (PSTT02.6), 'Um módulo de alimentação DC / DC de alta densidade de 400 W com transformador planar integrado e meia ponte GaN IC' por Bin Li (diretor de aplicações);
11h40 (PSTT01.9), 'Um Método de Otimização para Perdas de Enrolamento de Transformadores Planares em Conversor Flyback Multi-Saída Baseado em GaN' por Xiucheng Huang (diretor sênior);
3h45 (local: 101B), apresentação do expositor ''Electrify Our World' with Next-gen GaNFast and GeneSiC Power', de Dan Kinzer.

29 de Fevereiro

8h30–11h20 (IS19), 'SiC & Package Innovations in Power Modules', presidente da sessão Stephen Oliver (VP de marketing corporativo e RI);
8h55 (PSTIS21.2), 'GaN Half-Bridge Power IC e Topologias AHB/Totem-Pole permitem solução PD240 de 150 W, 3.1 cc com 95.5% de eficiência' por Tom Ribarich (diretor sênior de Marketing Estratégico);
1h30–3h10 (IS27), 'Aplicações Emergentes para Eletrônica de Potência', presidente da sessão Llew Vaughan-Edmunds (diretor sênior GeneSiC);
2h20 (IS27-3), 'SiC de alta tensão otimizado para carregamento de megawatts em caminhões EV de longa distância' por Stephen Oliver e Llew Vaughan-Edmunds.

Feira de Emprego Estudantil

27 de Fevereiro

1h30 às 5h (Regency Ballroom ABC do hotel Hyatt Regency, próximo ao Centro de Convenções de Long Beach), com o gerente sênior de recursos humanos da Navitas, Shaun Sandera.

Tags: Eletrônica de potência

Visite: www.navitassemi.com