Memristores hexagonais de nitreto de boro com eletrodos de níquel: mecanismos de condução de corrente e comportamento de comutação resistiva (RWTH Aachen)

Um novo artigo técnico intitulado “Resistive Switching and Current Conduction Mechanisms in Hexagonal Boron Nitride Threshold Memristors with Nickel Electrodes” foi publicado por pesquisadores da RWTH Aachen University e do Peter Gruenberg Institute.

Abstrato:

“O nitreto de boro hexagonal de material isolante 2D (h-BN) tem atraído muita atenção como meio ativo em dispositivos memristivos devido às suas propriedades físicas favoráveis, entre outras, um amplo bandgap que permite uma grande janela de comutação. A formação de filamentos de metal é frequentemente sugerida para dispositivos h-BN como o mecanismo de comutação resistiva (RS), geralmente suportado por métodos altamente especializados, como microscopia de força atômica condutiva (C-AFM) ou microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Aqui, a comutação de memristores de limiar de nitreto de boro hexagonal multicamada (h-BN) com dois eletrodos de níquel (Ni) é investigada por meio de seus mecanismos de condução de corrente. Ambos os estados de resistência alta e baixa são analisados ​​por meio de medições de corrente-tensão dependentes da temperatura. Propõe-se a formação e retração de filamentos de níquel ao longo de defeitos de boro no filme de h-BN como mecanismo de chaveamento resistivo. Os dados elétricos são corroborados com análises TEM para estabelecer medições de corrente-tensão dependentes da temperatura como uma ferramenta valiosa para a análise de fenômenos de comutação resistiva em memristores feitos de materiais 2D. Os memristores exibem uma faixa de operação de corrente ampla e sintonizável e baixas correntes de espera, de acordo com o estado da arte em comutadores de limite baseados em h-BN, uma baixa variabilidade ciclo a ciclo de 5% e um grande On /Desativar relação de 10⁷. "

Encontre o papel técnico aqui. Publicado em maio de 2023.

Volkel, L., Braun, D., BELETE, M., Katária, S., Wahlbrink, T., Classificação., Kistermann, K., MAYER, J., Menzel, S., Daus, A., Lemme, MC, Comutação Resistiva e Mecanismos de Condução de Corrente em Memristores de Limiar de Nitreto de Boro Hexagonais com Eletrodos de Níquel. Av. Funcionar. Mater. 2023, 2300428. https://doi.org/10.1002/adfm.202300428.

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• Fonte: https://semiengineering.com/hexagonal-boron-nitride-memristors-with-nickel-electrodes-current-conduction-mechanisms-resistive-switching-behavior-rwth-aachen/