Transistor reconfigurável em forma de cruz (CS-RFET) com roteamento de sinal flexível

Um novo artigo técnico intitulado “Transistor de efeito de campo reconfigurável de forma cruzada para roteamento de sinal flexível” foi publicado por pesquisadores do NaMLab gGmbH, École Centrale de Lyon e TU Dresden.

“É apresentado um estudo abrangente e detalhado das características elétricas do transistor de efeito de campo reconfigurável em forma de cruz. O dispositivo fabricado demonstra características de transistor quase iguais para cada ramificação, o que permite a introdução de novos projetos de circuitos complementares. Demonstramos um inversor e um circuito multiplexador, ambos construídos a partir dos mesmos dois transistores com funcionalidade aprimorada quando comparados a uma configuração de fonte única”, afirma o artigo.

Encontre o papel técnico aqui. Publicado em maio de 2023.

Cigdem Cakirlar, Maik Simon, Giulio Galderisi, Ian O'Connor, Thomas Mikolajick, Jens Trommer,
Transistor de efeito de campo reconfigurável de forma cruzada para roteamento de sinal flexível, Materials Today Electronics, 2023,100040, ISSN 2772-9494, https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100040.

• Conteúdo com tecnologia de SEO e distribuição de relações públicas. Seja amplificado hoje.
• PlatoAiStream. Inteligência de Dados Web3. Conhecimento Amplificado. Acesse aqui.
• Cunhando o Futuro com Adryenn Ashley. Acesse aqui.
• Compre e venda ações em empresas PRE-IPO com PREIPO®. Acesse aqui.
• Fonte: https://semiengineering.com/cross-shaped-reconfigurable-transistor-cs-rfet-with-flexible-signal-routing/