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24 de maio de 2023
Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) - que foi desmembrada do grupo de Energia Elétrica e Conversão de Energia do Departamento de Engenharia da Universidade de Cambridge em 2016 e projeta, desenvolve e comercializa transistores de potência e CIs que usam substratos de GaN-em-silício - introduziu um gama de placas de interface de aplicação que permitem aos projetistas testar seus transistores ICeGaN de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) em circuitos existentes no lugar de dispositivos MOSFET ou GaN concorrentes sem ter que reorganizar o PCB.
As placas de interface de aplicação são PCBs adaptadoras soldadas a um dispositivo ICeGaN, que mapeiam cada pino/sinal da área de cobertura do ICeGaN HEMT para os pinos/sinais correspondentes de uma área de componente alternativa.
“Essas placas de interface de aplicativos são projetadas apenas para fins de design e avaliação, é claro. Este é um primeiro passo rápido para permitir que o usuário coloque um de nossos CIs ICeGaN em um projeto existente”, disse Peter Comiskey, diretor de engenharia de aplicação. “Há algum impacto menor no desempenho térmico, mas surpreendentemente pouca diferença na EMC ou no desempenho elétrico.”
A CGD oferece placas de interface de aplicação para uma série de dispositivos padrão da indústria dos principais fabricantes de dispositivos MOSFET e GaN. Uma lista completa pode ser encontrada no guia de utilizador., mas a empresa também pode desenvolver uma placa de interface de aplicativo para dispositivos atualmente sem suporte para entrega dentro de quatro semanas.
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- Fonte: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/cgd-240523.shtml
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