Aixtron lança plataforma G10-GaN MOCVD para dispositivos de potência e RF

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6 Setembro 2023

No evento SEMICON Taiwan 2023 em Taipei (6 a 8 de setembro), o fabricante de equipamentos de deposição Aixtron SE de Herzogenrath, perto de Aachen, Alemanha, lançou sua nova plataforma de deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD) cluster G10-GaN para nitreto de gálio (GaN ), dispositivos baseados em energia e radiofrequência (RF), oferecendo o que é considerado o melhor desempenho da categoria, um design compacto totalmente novo e o menor custo geral por wafer.

Imagem: Novo sistema G10-GaN MOCVD da Aixtron.

“Nossa nova plataforma G10-GaN já foi qualificada para produção em volume de dispositivos de energia GaN por um fabricante líder de dispositivos dos EUA”, observa o CEO e presidente, Dr. Felix Grawert. “A nova plataforma oferece o dobro da produtividade por área de sala limpa do que o nosso produto anterior, ao mesmo tempo que permite um novo nível de uniformidade de materiais, desbloqueando novas alavancas de competitividade para os nossos clientes”, acrescenta. “Os dispositivos de energia GaN devem desempenhar um papel decisivo na redução global de CO2 emissões, oferecendo uma conversão de energia muito mais eficiente do que o silício convencional, reduzindo as perdas por um fator de dois a três. Esperamos que este mercado cresça continuamente até o final da década e além. Hoje, o GaN já substituiu o silício em carregadores rápidos usados ​​em dispositivos móveis, e vemos uma demanda crescente por data centers ou aplicações solares.”

A Aixtron desenvolve processos e hardware GaN-on-Si há mais de 20 anos. Seu reator planetário AIX G5+ C foi o primeiro sistema GaN MOCVD totalmente automatizado devido à limpeza in-situ e à automação cassete a cassete. A nova solução de cluster G10-GaN baseia-se nos mesmos fundamentos e amplia cada métrica de desempenho.

Embalada em um layout novo e compacto para aproveitar o menor espaço de sala limpa, a plataforma vem com novas entradas de reator, melhorando a uniformidade do material por um fator de dois para otimizar o rendimento do dispositivo. Os sensores integrados são complementados por um novo conjunto de software e soluções de impressão digital para garantir que o sistema forneça consistentemente o mesmo desempenho, operação após execução, entre manutenções para todos os módulos de processo – estendendo o tempo de atividade do equipamento em mais de 5% em comparação com a geração anterior.

O cluster pode ser equipado com até três módulos de processo, proporcionando uma capacidade recorde de wafers de 15x200mm devido à tecnologia de reator em lote planetário – permitindo uma redução de custo de 25% por wafer em comparação com produtos anteriores.

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Tags: aixtron

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• Fonte: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/sep/aixtron-060923.shtml