ST zwiększa wydajność i zasięg pojazdu elektrycznego dzięki nowym modułom zasilania z węglika krzemu

Opublikowane ponownie przez Plato

Obserwuje: 0

12 grudnia 2022

Firma STMicroelectronics z Genewy w Szwajcarii wypuściła na rynek nowe moduły z węglika krzemu (SiC) o dużej mocy do pojazdów elektrycznych (EV), które zwiększają wydajność i zasięg jazdy. Znajdujące się obecnie w produkcji moduły ACEPACK DRIVE zostały wybrane do platformy pojazdów elektrycznych E-GMP firmy Hyundai (która jest wspólna dla Kia EV6 i kilku modeli).

Pięć nowych modułów mocy opartych na SiC MOSFET zapewnia producentom pojazdów elastyczny wybór, obejmujący wybór mocy znamionowej i obsługę napięć roboczych powszechnie stosowanych w aplikacjach trakcyjnych pojazdów elektrycznych. Moduły mocy, umieszczone w pakiecie ST ACEPACK DRIVE zoptymalizowanym pod kątem zastosowań trakcyjnych, są niezawodne (dzięki technologii spiekania), solidne i łatwe do zintegrowania przez producentów z napędami pojazdów elektrycznych. Wewnętrznie głównymi półprzewodnikami mocy są tranzystory ST trzeciej generacji (Gen3) STPOWER SiC MOSFET, które łączą to, co uważa się za wiodącą w branży wartość (RDS(WŁ) x obszar matrycy) z bardzo niską energią przełączania i super wydajnością w prostowaniu synchronicznym.

„Rozwiązania ST z węglika krzemu umożliwiają głównym producentom OEM w branży motoryzacyjnej nadanie tempa elektryfikacji podczas opracowywania przyszłych generacji pojazdów elektrycznych” — mówi Marco Monti, prezes ST Automotive and Discrete Group. „Nasza technologia SiC trzeciej generacji zapewnia największą gęstość mocy i efektywność energetyczną, co przekłada się na doskonałe osiągi pojazdu, zasięg i czas ładowania”.

Firma Hyundai Motor Company wybrała moduły zasilania oparte na technologii ST ACEPACK DRIVE SiC-MOSFET Gen3 do swojej platformy pojazdów elektrycznych obecnej generacji, zwanej E-GMP. W szczególności moduły będą zasilać Kia EV6. „Moduły mocy ST oparte na SiC MOSFET to właściwy wybór dla naszych falowników trakcyjnych, umożliwiając większy zasięg”, mówi Sang-Cheol Shin, zespół projektowy Inverter Engineering w Hyundai Motor Group. „Współpraca między naszymi dwiema firmami stanowiła znaczący krok w kierunku bardziej zrównoważonych pojazdów elektrycznych, wykorzystując ciągłe inwestycje technologiczne ST, aby stać się wiodącym aktorem w dziedzinie półprzewodników w rewolucji elektryfikacji”.

Firma ST dostarczyła już urządzenia STPOWER SiC do ponad trzech milionów samochodów osobowych produkowanych seryjnie na całym świecie. Dzięki niedawno ogłoszonemu w pełni zintegrowanemu zakładowi produkcji substratów SiC w Katanii, który ma rozpocząć produkcję w 2023 r., ST szybko działa, aby wspierać szybkie przejście rynku w kierunku e-mobilności.

Moduły 1200V ADP280120W3, ADP360120W3 i ADP480120W3(-L) firmy ST są już w pełnej produkcji. 750 V ACEPACK DRIVE ADP46075W3 i ADP61075W3 będą w pełni produkowane do marca 2023 r. Umożliwiają one rozwiązanie typu plug-and-play dla falowników trakcyjnych, kompatybilne z bezpośrednim chłodzeniem cieczą i wyposażone w układ pin-fin do wydajnego odprowadzania ciepła. Określone do maksymalnej temperatury złącza 175°C, zapewniają trwałe i niezawodne połączenia wtłaczane i spiekane z podłożem, aby zapewnić dłuższą żywotność w zastosowaniach motoryzacyjnych. ST rozszerzy portfolio produktów o wersje ACEPACK DRIVE z tranzystorem bipolarnym z izolowaną bramką (IGBT) i diodami.

Moduły wykorzystują technologię aktywnego lutowania metalem (AMB), znaną z doskonałej sprawności cieplnej i wytrzymałości mechanicznej, montując dedykowany NTC (termistor o ujemnym współczynniku temperaturowym) dla każdego podłoża. Są one również dostępne z wyborem spawanej lub przykręcanej szyny zbiorczej, co zapewnia elastyczność w spełnianiu różnych wymagań montażowych. Opcja długich szyn zbiorczych dodatkowo zwiększa elastyczność, umożliwiając wybór czujnika Halla do monitorowania prądu silnika.

Zobacz powiązane elementy:

ST wybuduje wartą 730 mln euro fabrykę płytek z węglika krzemu w Katanii we Włoszech

ST współpracuje z firmą Semikron w celu integracji technologii zasilania SiC w napędach EV

ST wprowadza na rynek trzecią generację tranzystorów MOSFET SiC STPOWER

tagi: STMicroelectronics MOSFET mocy SiC

Odwiedź: www.st.com