Navitas prezentuje zastosowania GaN i SiC na targach APEC

Opublikowane ponownie przez Plato

Obserwuje: 0

2 lutego 2024

Na stoisku „Planet Navitas” nr 1353 na konferencji Applied Power Electronics Conference (APEC 2024) w Long Beach Convention & Entertainment Center, Long Beach, Kalifornia, USA (26–29 lutego), azotek galu (GaN) układ scalony mocy i krzem Firma zajmująca się technologią węglika (SiC) Navitas Semiconductor Corp z Torrance w Kalifornii podkreśla, w jaki sposób technologie GaN i SiC umożliwiają opracowywanie najnowszych rozwiązań dla w pełni zelektryfikowanych budynków mieszkalnych, transportu i przemysłu. Przykłady obejmują zasilanie telewizorów, silniki i sprężarki sprzętu gospodarstwa domowego, ładowanie pojazdów elektrycznych (EV), instalacje fotowoltaiczne/mikrosieci i systemy zasilania centrów danych. Każdy z nich podkreśla korzyści dla użytkownika końcowego, takie jak zwiększona przenośność, większy zasięg, szybsze ładowanie i niezależność od sieci, a także skupia się na tym, jak technologia GaN i SiC o niskiej emisji dwutlenku węgla może zaoszczędzić ponad 6 Gton COXNUMX rocznie2 przez 2050.

„Komplementarne portfolio GaNFast i GeneSiC, z kompleksowym wsparciem w zakresie projektowania systemów dostosowanych do konkretnych aplikacji, skraca czas wprowadzenia produktu na rynek przez klienta, zapewniając trwałe korzyści w zakresie wydajności” – mówi dyrektor operacyjny/dyrektor ds. technologii i współzałożyciel Dan Kinzer. „Planet Navitas” reprezentuje bardzo realne, inspirujące wdrożenie GaN i SiC w ramach ogromnych możliwości rynkowych o wartości 22 miliardów dolarów rocznie”.

Najważniejsze aktualizacje i wydania technologiczne obejmują GaNSafe (uważany za najlepiej chroniony, najbardziej niezawodny i wydajny zasilacz GaN na świecie), półmostkowe układy scalone GaNSense Gen-4 (najbardziej zintegrowane urządzenia GaN), szybki zasilacz SiC Gen-3 FET (do zastosowań związanych z dużą mocą) i dwukierunkowy GaN (do zastosowań w napędach silnikowych i magazynowaniu energii).

Prezentacje techniczne Navitas w APEC

Luty 27

8:55 (IS05.2), „Ograniczenie kosztów systemu za pomocą GaN HEMT w zastosowaniach związanych z napędami silnikowymi” autorstwa Alfreda Hesenera (starszy dyrektor ds. przemysłu i konsumentów);
10:40 (PSTT02.6), „Moduł zasilania DC/DC o dużej gęstości 400 W ze zintegrowanym transformatorem planarnym i półmostkowym układem scalonym GaN” autorstwa Bin Li (dyrektor ds. aplikacji);
11:40 (PSTT01.9), „Metoda optymalizacji strat w uzwojeniu transformatora planarnego w wielowyjściowym konwerterze typu flyback opartym na GaN” autorstwa Xiucheng Huanga (starszy dyrektor);
3:45 (lokalizacja: 101B), prezentacja wystawcy „Electrify Our World” za pomocą nowej generacji GaNFast i GeneSiC Power”, prowadzona przez Dana Kinzera.

Luty 29

8:30–11:20 (IS19), „Innowacje SiC i pakiety w modułach mocy”, przewodniczący sesji Stephen Oliver (wiceprezes ds. marketingu korporacyjnego i IR);
8:55 (PSTIS21.2), „Półmostkowy układ scalony zasilania GaN i topologie AHB/Totem-Pole umożliwiają rozwiązanie 240 W, 150 cm3.1, PD95.5 z wydajnością XNUMX%” autorstwa Toma Ribaricha (starszy dyrektor ds. marketingu strategicznego);
1:30–3:10 (IS27), „Pojawiające się zastosowania elektroniki mocy”, przewodniczący sesji Llew Vaughan-Edmunds (starszy dyrektor GeneSiC);
2:20 (IS27-3), „Wysokonapięciowy SiC zoptymalizowany do ładowania megawatów w transporcie pojazdów elektrycznych na długich dystansach” autorstwa Stephena Olivera i Llewa Vaughana-Edmundsa.

Studenckie Targi Pracy

Luty 27

1:30–5:XNUMX (sala balowa Regency Ballroom ABC w hotelu Hyatt Regency, obok centrum kongresowego Long Beach) z Shaunem Sanderą, starszym menedżerem ds. zasobów ludzkich Navitas.

tagi: Elektronika energetyczna

Odwiedź: www.navitassemi.com