Zwiększanie wydajności tranzystora poprzez zmniejszenie rezystancji styków przy użyciu materiałów 2D

Tranzystory są elementami składowymi współczesnej elektroniki, a ich działanie jest istotne dla funkcjonowania wielu urządzeń. Jednym z kluczowych czynników ograniczających wydajność tranzystora jest rezystancja styku, czyli rezystancja pomiędzy źródłem a drenem tranzystora. Opór ten może powodować utratę mocy i ograniczać prędkość tranzystora. Na szczęście ostatnie postępy w dziedzinie materiałów dwuwymiarowych (2D) umożliwiły naukowcom zmniejszenie rezystancji styków i poprawę wydajności tranzystorów.

Materiały 2D to klasa materiałów o grubości zaledwie kilku atomów. Materiały te mają unikalne właściwości, które czynią je idealnymi do stosowania w tranzystorach. Na przykład są wysoce przewodzące i mają niską rezystancję styku. Oznacza to, że można je zastosować do zmniejszenia rezystancji pomiędzy źródłem a drenem tranzystora, poprawiając w ten sposób jego wydajność.

Naukowcy opracowali kilka metod zmniejszania rezystancji styków przy użyciu materiałów 2D. Jednym z podejść jest wykorzystanie materiałów 2D jako „mostu” pomiędzy źródłem a drenem tranzystora. Mostek ten zmniejsza odległość między dwoma stykami, zmniejszając w ten sposób rezystancję styku. Innym podejściem jest wykorzystanie materiałów 2D jako „bariery” pomiędzy źródłem a drenem. Bariera ta zapobiega upływowi prądu, zmniejszając w ten sposób rezystancję styku.

Oprócz zmniejszania rezystancji styków, materiały 2D można również wykorzystać do poprawy innych aspektów wydajności tranzystora. Można je na przykład zastosować do zmniejszenia upływu bramki, czyli ilości prądu wyciekającego przez bramkę tranzystora. Zmniejsza to zużycie energii i zwiększa prędkość. Ponadto materiały 2D można wykorzystać do zwiększenia napięcia przebicia tranzystora, czyli maksymalnego napięcia, jakie może wytrzymać, zanim ulegnie awarii.

Ogólnie rzecz biorąc, materiały 2D umożliwiły naukowcom zmniejszenie rezystancji styków i poprawę wydajności tranzystorów. Wykorzystując te materiały jako mostki lub bariery między źródłem a drenem tranzystora, badacze mogą zmniejszyć rezystancję styku i poprawić inne aspekty wydajności tranzystora. Umożliwiło to badaczom stworzenie szybszych i wydajniejszych tranzystorów, które można wykorzystać w różnych zastosowaniach.

• Dystrybucja treści i PR oparta na SEO. Uzyskaj wzmocnienie już dziś.
• Platoblockchain. Web3 Inteligencja Metaverse. Wzmocniona wiedza. Dostęp tutaj.
• Źródło: Plato Data Intelligence: PlatonAiStream