Aixtron wprowadza na rynek platformę G10-GaN MOCVD dla urządzeń zasilających i RF

Aixtron wprowadza na rynek platformę G10-GaN MOCVD dla urządzeń zasilających i RF

Znacznik czasu: 6 września 2023 9:07
Węzeł źródłowy: 2867170

News: Dostawcy

6 września 2023

Podczas wydarzenia SEMICON Taiwan 2023 w Tajpej (6–8 września) producent sprzętu do osadzania Aixtron SE z Herzogenrath niedaleko Akwizgranu w Niemczech uruchomił nową platformę do metaloorganicznego chemicznego osadzania z fazy gazowej (MOCVD) azotku galu (GaN) z klastrem G10-GaN ) oparte na mocy i częstotliwości radiowej (RF), oferujące rzekomo najlepszą w swojej klasie wydajność, całkowicie nową, kompaktową konstrukcję i ogólnie najniższy koszt w przeliczeniu na płytkę.

Zdjęcie: Nowy system MOCVD G10-GaN firmy Aixtron.

„Nasza nowa platforma G10-GaN została już zakwalifikowana do masowej produkcji urządzeń zasilających GaN przez wiodącego amerykańskiego producenta urządzeń” – zauważa dyrektor generalny i prezes dr Felix Grawert. „Nowa platforma zapewnia dwukrotnie większą produktywność w przeliczeniu na obszar pomieszczenia czystego niż nasz poprzedni produkt, umożliwiając jednocześnie osiągnięcie nowego poziomu jednorodności materiałów, odblokowując nowe dźwignie konkurencyjności dla naszych klientów” – dodaje. „Urządzenia zasilające GaN odegrają decydującą rolę w ograniczaniu globalnej emisji CO2 emisji, oferując znacznie wydajniejszą konwersję energii niż konwencjonalny krzem, redukując straty od dwóch do trzech razy. Oczekujemy, że rynek ten będzie stale rósł do końca dekady i później. Dziś GaN zastąpił już krzem w szybkich ładowarkach stosowanych w urządzeniach mobilnych i widzimy rosnące zapotrzebowanie na centra danych lub aplikacje solarne.

Aixtron opracowuje procesy i sprzęt GaN-on-Si od ponad 20 lat. Zastosowany w nim reaktor planetarny AIX G5+ C był pierwszym w pełni zautomatyzowanym systemem GaN MOCVD dzięki zastosowaniu czyszczenia na miejscu i automatyzacji „od kasety do kasety”. Całkowicie nowe rozwiązanie klastra G10-GaN opiera się na tych samych podstawach, jednocześnie rozszerzając każdy pojedynczy wskaźnik wydajności.

Platforma, posiadająca nowy, kompaktowy układ, pozwalający wykorzystać najmniejszą przestrzeń w pomieszczeniu czystym, jest wyposażona w nowatorskie wloty reaktorów, które dwukrotnie poprawiają jednorodność materiału, zapewniając optymalną wydajność urządzenia. Wbudowane czujniki są uzupełnione nowym pakietem oprogramowania i rozwiązaniami opartymi na odciskach palców, aby zapewnić, że system konsekwentnie zapewnia tę samą wydajność, seria po uruchomieniu, pomiędzy konserwacjami wszystkich modułów procesowych, wydłużając czas sprawności sprzętu o ponad 5% w porównaniu z poprzednią generacją.

Klaster może być wyposażony w maksymalnie trzy moduły procesowe, zapewniając rekordową wydajność płytek o wymiarach 15 x 200 mm dzięki technologii planetarnego reaktora wsadowego, co umożliwia redukcję kosztów na płytkę o 25% w porównaniu z poprzednimi produktami.

Zobacz powiązane elementy:

Aixtron inwestuje do 100 mln euro w budowę nowego centrum innowacji

Aixtron uruchamia system G10-AsP na targach Photonic West

Aixtron wprowadza na rynek system CVD G10-SiC 200 mm

tagi: Aixtron

Odwiedź: www.aixtron.pl

Znak czasu:

Więcej z Półprzewodniki dzisiaj