Zeshoekige boornitride-memristors met nikkelelektroden: huidige geleidingsmechanismen en resistief schakelgedrag (RWTH Aachen)

Een nieuw technisch document met de titel "Resistive Switching and Current Conduction Mechanisms in Hexagonal Boron Nitride Threshold Memristors with Nickel Electrodes" werd gepubliceerd door onderzoekers van de RWTH Aachen University en het Peter Gruenberg Institute.

Abstract:

“Het 2D-isolatiemateriaal hexagonaal boornitride (h-BN) heeft veel aandacht getrokken als het actieve medium in memristieve apparaten vanwege zijn gunstige fysische eigenschappen, onder andere een brede bandgap die een groot schakelvenster mogelijk maakt. Metaalfilamentvorming wordt vaak voorgesteld voor h-BN-apparaten als het resistieve schakelmechanisme (RS), meestal ondersteund door zeer gespecialiseerde methoden zoals geleidende atoomkrachtmicroscopie (C-AFM) of transmissie-elektronenmicroscopie (TEM). Hier wordt het schakelen van meerlagige hexagonale boornitride (h-BN) drempelmemristors met twee nikkel (Ni) elektroden onderzocht via hun huidige geleidingsmechanismen. Zowel de hoge als de lage weerstandstoestanden worden geanalyseerd door middel van temperatuurafhankelijke stroom-spanningsmetingen. De vorming en terugtrekking van nikkelfilamenten langs boordefecten in de h-BN-film als het resistieve schakelmechanisme wordt voorgesteld. De elektrische gegevens worden bevestigd met TEM-analyses om temperatuurafhankelijke stroom-spanningsmetingen vast te stellen als een waardevol hulpmiddel voor de analyse van resistieve schakelverschijnselen in memristors gemaakt van 2D-materialen. De memristors vertonen een breed en afstembaar stroombereik en lage stand-bystromen, in overeenstemming met de stand van de techniek op het gebied van op h-BN gebaseerde drempelschakelaars, een lage cyclus-tot-cyclusvariabiliteit van 5% en een grote aan /Off-ratio van 10⁷. '

Vind de technisch document hier. Gepubliceerd mei 2023.

Volkel, L., Braun, D., Belete, M., Kataria, S., Wahlbrink, T., Ran, K., Kirstermann, K., Mayer, J., Menzel, S., Daus, A., Lemme, MC, Resistieve schakel- en stroomgeleidingsmechanismen in zeshoekige boornitride-drempelmemristors met nikkelelektroden. Adv. Functie Mater. 2023, 2300428. https://doi.org/10.1002/adfm.202300428.

• Door SEO aangedreven content en PR-distributie. Word vandaag nog versterkt.
• PlatoAiStream. Web3 gegevensintelligentie. Kennis versterkt. Toegang hier.
• De toekomst slaan met Adryenn Ashley. Toegang hier.
• Koop en verkoop aandelen in PRE-IPO-bedrijven met PREIPO®. Toegang hier.
• Bron: https://semiengineering.com/hexagonal-boron-nitride-memristors-with-nickel-electrodes-current-conduction-mechanisms-resistive-switching-behavior-rwth-aachen/