ロームの第XNUMX世代SiC MOSFETが日立アステモのEVインバーターに採用

ニュース： マイクロエレクトロニクス

11 年 １ 月 2023 日

日本のロームは、日本の自動車部品メーカーである日立アステモ株式会社が製造する電気自動車 (EV) のインバーターに、新しい第 XNUMX 世代シリコン カーバイド (SiC) MOSFET とゲート ドライバー IC が採用されたと発表しました。

特にEVでは、航続距離の延長や車載バッテリーの小型化に対応するため、駆動系の中心となるインバーターの高効率化が求められており、SiCパワーデバイスへの期待が高まっています。

ロームによると、最新の第 6 世代 SiC MOSFET は、短絡耐量が向上し、業界で最も低いオン抵抗であると言われています。シリコンIGBT（国際規格WLTC燃費試験による計算値）をメインインバータに搭載した場合。

長年、自動車用モーターやインバーターの先進技術を開発してきた日立アステモは、ますます普及が進むEV市場ですでに実績があります。 ただし、メインインバータ回路にSiCデバイスを採用するのは今回が初めてで、さらなる性能向上を図っています。 インバーターは2025年から自動車メーカーに供給され、日本を皮切りに海外に拡大する予定です。

ロームは、今後もSiCパワーデバイスのサプライヤーとして、その性能を最大限に引き出す制御ICなどの周辺デバイス技術を組み合わせることで、ラインナップを充実させ、自動車の技術革新に貢献するパワーソリューションを提供していきます。

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タグ： ローム SiCパワーMOSFET

参照してください。 www.hitachiastemo.com/ja

参照してください。 www.rohm.com/web/global/sic-mosfet

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• 情報源： https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/jan/rohm-110123.shtml