Porotech と Powerchip がディスプレイ用 200mm GaN-on-Si マイクロ LED の量産で提携

Porotech と Powerchip がディスプレイ用 200mm GaN-on-Si マイクロ LED の量産で提携

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23 年 1 月 2024 日

ファブレスマイクロLED企業Poro Technologies Ltd(多孔質GaN材料を開発し、台湾の新竹に研究開発センターを有する英国ケンブリッジ大学の窒化ガリウムセンターから独立した企業)と台湾を拠点とするファウンドリPowerchip Semiconductor Manufacturing Corp (PSMC) は、ディスプレイ用途向けのマイクロ LED における戦略的パートナーシップを発表しました。

この提携により、消費者向けアプリケーション向けの高歩留り製造による、高輝度、高ピクセル密度、小型、低コストのディスプレイ用マイクロ LED の生産が促進されます。半導体フロントエンドウェーハ製造ファウンドリにおける PSMC の独自技術と、PoroGaN マイクロ LED オンシリコン (μLEDoS)、ダイナミック ピクセル チューニング (DPT)、GaN オンシリコン プラットフォームにおける Porotech の技術を組み合わせることで、マイクロ LED ディスプレイの商品化を目指します。

半導体環境におけるピクセレーション用の Porotech のマイクロ LED オンシリコンの量産は、民生用途向けのディスプレイの商品化において一歩前進です。 PSMCのフロントエンド半導体ファウンドリにおける強みも、量産段階での貢献が期待される。

半導体製造技術用のマイクロ LED オンシリコンは、製造精度を製品性能、大量生産、低コストのディスプレイ用途に活用すると期待されています。

「PSMC との提携は、ディスプレイ用途向けのマイクロ LED オンシリコン技術の量産に向けた重要な前進を意味します」と Porotech の CEO 兼創設者である Tongtong Zhu 博士は考えています。 「PSMC にはエキサイティングな道が待っており、相互のパートナーや顧客との商業化の大きなチャンスが推進されます。」

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タグ: ケンブリッジ窒化ガリウムセンター マイクロLED

参照してください。 www.powerchip.com

参照してください。 www.porotech.co.uk

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