ニュース: マイクロエレクトロニクス
2019年5月29日
米国アリゾナ州フェニックスのパワー半導体ICサプライヤーであるonsemiは、ペンシルベニア州立大学材料研究所(MRI)でのonsemi炭化ケイ素結晶センター(SiC8)の設立を含む3万ドルの戦略的提携に関する覚書(MOU)を締結した。 。 onsemi は、今後 3 年間にわたって年間 800,000 万ドルを SiC10 に資金提供する予定です。
ペンシルバニア州立大学とオンセミ社は、SiC3 での SiC 研究の実施に加えて、世界の半導体製造における米国のシェアを高める取り組みの一環として、半導体業界における技術職への需要の高まりに対する意識を高めることを目指しています。 両社はまた、インターンシップや協力プログラムなどの労働力開発の取り組みでも提携し、ペンシルベニア州立大学のカリキュラムにSiCやワイドバンドギャップ結晶の研究を組み込む予定だ。 ペンシルバニア州立大学との関係は、十分なサービスを受けられていない地域の幼稚園から高校までの学生の支援から、労働力の育成を支援する大学との協力まで、STEAM (科学、技術、工学、芸術、数学) 教育を推進するオンセミの取り組みの一環です。
「onsemi は実証済みのイノベーターであり、複数の市場にわたって持続可能なソリューションを実現および加速するインテリジェントなパワーおよびセンシング技術の包括的なポートフォリオを提供しています」とペンシルベニア州立大学研究担当上級副社長の Lora Weiss 氏はコメントしています。 「同時に、全米科学財団の研究支出ランキングによれば、ペンシルバニア州立大学は材料科学で第 XNUMX 位、材料工学で第 XNUMX 位にランクされています。 当社は、半導体やその他の技術で使用される薄膜、炭化ケイ素、その他の材料の研究をサポートする世界クラスのナノファブおよび特性評価施設を備えています。 オンセミとペンシルバニア州立大学間のこうした補完的な機能は、研究開発、経済成長、労働力開発に強い影響を与えるでしょう」と彼女は信じています。
写真:覚書に署名した後のオンセミCEO兼副社長兼首席補佐官のキャサリン・コテ氏とペンシルバニア州立大学執行副社長兼知事のジャスティン・シュワルツ氏。
「ペンシルバニア州立大学は、炭化ケイ素結晶成長研究プログラムを迅速に確立できる独自の立場にあります」と、onsemi のパワー ソリューション グループの最高技術責任者である Pavel Freundlich 氏はコメントしています。 「大学は、現在の材料研究、ナノファブ施設のウェーハ処理能力、および包括的で世界クラスの計測機器スイートに基づいて、幅広い能力を提供しています。」と彼は付け加えました。
ペンシルバニア州立大学執行副社長兼学長のジャスティン・シュワルツ氏は、「今後XNUMX年間で、この協力によりペンシルベニア州立大学は半導体結晶科学と労働力開発において国内有数の資源となるだろう」と信じている。 「これは、企業および業界エンゲージメントのシニアディレクターであるプリヤ・バブー氏の関係構築の努力と、材料科学および工学の教授であるジョシュア・ロビンソン氏およびオンセミの彼らの同僚の技術的専門知識なしでは不可能でした」と彼は付け加えた。
「ペンシルバニア州立大学がカリキュラムを拡張してSiCとワイドバンドギャップ技術の専門コースを提供することは、オンセミの戦略的労働力開発目標を達成する上で重要な役割を果たし、最近署名されたCHIPSおよび科学法に概要が示されている米国の半導体労働力目標の達成に役立つでしょう。」 onsemi 大学関係担当副学長のスコット・アレン氏はこう結論づけています。
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