Dispositivi a semiconduttore di potenza: gestione termica e packaging

Dispositivi a semiconduttore di potenza: gestione termica e packaging

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Un documento tecnico intitolato “Gestione termica e confezionamento di dispositivi di potenza con bandgap ampio e ultra ampio: una revisione e una prospettiva” è stato pubblicato da ricercatori del Virginia Polytechnic Institute and State University, U.S. Naval Research Laboratory e Univ Lyon, CNRS.

“Questo documento fornisce una revisione tempestiva della gestione termica dei dispositivi di potenza WBG e UWBG, con particolare attenzione ai dispositivi packaged. Inoltre, i dispositivi UWBG emergenti sono molto promettenti per applicazioni ad alta temperatura grazie alla loro bassa densità di portatori intrinseca e alla maggiore ionizzazione del drogante a temperature elevate. L’adempimento di questa promessa nelle applicazioni di sistema, insieme al superamento dei limiti termici di alcuni materiali UWBG, richiede nuove tecnologie di gestione termica e imballaggio. A tal fine, forniamo prospettive sulle sfide rilevanti, sulle potenziali soluzioni e sulle opportunità di ricerca, evidenziando le urgenti esigenze di coprogettazione elettrotermica dispositivo-pacchetto e di pacchetti ad alta temperatura in grado di resistere agli elevati campi elettrici previsti nei dispositivi UWBG”, afferma il carta.

Trova il tecnico carta qui. Pubblicato 2023.

Qin, Yuan, Benjamin Albano, Joseph Spencer, James Spencer Lundh, Boyan Wang, Cyril Buttay, Marko J. Tadjer, Christina DiMarino e Yuhao Zhang. "Gestione termica e confezionamento di dispositivi di potenza con banda proibita ampia e ultra ampia: una revisione e una prospettiva." Journal of Physics D: Fisica applicata (2023).

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