Nexperia lancia diodi SiC da 650 V per applicazioni di conversione di potenza impegnative

Nexperia lancia diodi SiC da 650 V per applicazioni di conversione di potenza impegnative

Timestamp: 20 aprile 2023 2:08
Nodo di origine: 2598611

News: Microelectronics

20 Aprile 2023

Nexperia B.V. di Nijmegen, Paesi Bassi (una filiale di Wingtech Technology Co Ltd) ha introdotto un diodo Schottky al carburo di silicio (SiC) da 650 V progettato per applicazioni di potenza che richiedono prestazioni ultra elevate, basse perdite ed alta efficienza.

Il diodo Schottky SiC da 10 A, 650 V è un componente di livello industriale che affronta le sfide delle applicazioni impegnative ad alta tensione e corrente elevata. Questi includono alimentatori a commutazione, convertitori AC-DC e DC-DC, infrastrutture di ricarica delle batterie, gruppi di continuità (UPS) e inverter fotovoltaici e consentono operazioni più sostenibili. I data center, ad esempio, dotati di alimentatori progettati utilizzando il diodo Schottky SiC PSC1065K di Nexperia saranno in una posizione migliore per soddisfare rigorosi standard di efficienza energetica rispetto a quelli che utilizzano esclusivamente soluzioni basate sul silicio.

Il PSC1065K offre quelle che vengono definite prestazioni all'avanguardia con commutazione capacitiva indipendente dalla temperatura e comportamento di recupero zero, culminando in un'eccezionale cifra di merito (QC x vF). Le sue prestazioni di commutazione sono quasi del tutto indipendenti dalle variazioni di corrente e di velocità di commutazione. La struttura combinata PiN Schottky (MPS) del PSC1065K offre ulteriori vantaggi, come un'eccezionale robustezza contro le sovracorrenti che elimina la necessità di circuiti di protezione aggiuntivi. Queste funzionalità riducono significativamente la complessità del sistema e consentono ai progettisti hardware di ottenere una maggiore efficienza con fattori di forma più piccoli in applicazioni robuste e ad alta potenza.

Il diodo Schottky SiC è incapsulato in un contenitore di plastica di potenza a foro passante Real-2-Pin (R2P) TO-220-2. Ulteriori opzioni di package includono il package a montaggio superficiale (DPAK R2P e D2PAK R2P) e a foro passante (TO-247-2) con una vera configurazione a 2 pin che migliora l'affidabilità nelle applicazioni ad alta tensione a temperature fino a 175°C.

“In un mondo sempre più attento all’energia, stiamo offrendo maggiore scelta e disponibilità al mercato poiché la domanda di applicazioni ad alto volume e ad alta efficienza aumenta in modo significativo”, afferma Katrin Feurle, direttore senior del SiC Product Group di Nexperia.

Sono ora disponibili campioni e quantità di produzione dei nuovi diodi SiC. Nexperia prevede di aumentare continuamente il proprio portafoglio di diodi SiC includendo parti di livello automobilistico che funzionano a tensioni di 650 V e 1200 V con correnti nell'intervallo 6–20 A.

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Tag: Diodi a barriera SiC Schottky

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