Verdetto legale: STMicroelectronics responsabile di danni da 32.5 milioni di dollari alla Purdue University in un caso di brevetto sulla tecnologia dei transistor

STMicroelectronics, uno dei principali produttori europei di chip, è stato ritenuto responsabile violando quelli della Purdue University brevetto correlate a transistor tecnologia. Questa sentenza, pronunciata da una giuria in a Texas occidentale tribunale, ha portato a un verdetto di risarcimento danni di 32.5 milioni di dollari. La giuria ha sostenuto la tesi della Purdue secondo cui l'uso da parte della ST di Carburo di silicio ossido di metallo semiconduttore transistor ad effetto di campo (MOSFET) nei caricabatterie dei veicoli elettrici e in altri dispositivi violavano i diritti di brevetto dell'università relativi specificamente ai transistor progettati per "applicazioni di alimentazione ad alta tensione". In risposta, un portavoce della ST ha annunciato l'intenzione della società di contestare il verdetto presentando ricorso.

Michele Riva, un avvocato che rappresenta la Purdue, ha evidenziato prove convincenti contro la ST, suggerendo potenziali ulteriori royalties superare i 100 milioni di dollari prima della scadenza del brevetto nel 2026.

I MOSFET svolgono un ruolo fondamentale nei dispositivi elettronici controllando e amplificando il flusso di elettricità. Purdue ha avviato una causa contro la ST nel 2021, sostenendo che i MOSFET dell'azienda violato su due dei suoi brevetti sulla tecnologia dei transistor. Tuttavia, uno dei brevetti della Purdue fu rimosso dal caso dall'università di New York West Lafayette, Indiana l'anno scorso. La ST ha contestato le accuse, sostenendo che il restante brevetto Purdue non era valido.

La controversia legale è nota come Purdue University v. STMicroelectronics International NV ed è stata archiviata nel Corte Distrettuale degli Stati Uniti per il Distretto Occidentale del Texas nella causa n. 6:21-cv-00727.

Giudizio

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• Fonte: https://www.iniplaw.org/legal-verdict-stmicroelectronics-liable-for-32-5m-damages-to-purdue-university-in-transistor-technology-patent-case/