Circuito di pilotaggio del gate senza condensatore di accelerazione per un transistor di iniezione del gate GaN

Circuito di pilotaggio del gate senza condensatore di accelerazione per un transistor di iniezione del gate GaN

Timestamp: 5 maggio 2023 7:08
Nodo di origine: 2632994

Un documento tecnico intitolato "Gate Drive Circuit Adatto per un GaN Gate Injection Transistor" è stato pubblicato dai ricercatori dell'Università di Nagoya.

Astratto
“Un transistor GaN ad iniezione (GIT) ha un grande potenziale come dispositivo a semiconduttore di potenza. Tuttavia, un GIT GaN ha una caratteristica diodo sul gate-source ed è quindi richiesto un corrispondente circuito di pilotaggio del gate. Diversi studi in letteratura hanno proposto circuiti di pilotaggio del gate con condensatori di accelerazione, ma l'aggiunta di questi condensatori complica il circuito di pilotaggio del gate e aumenta sia le perdite di pilotaggio che quelle di conduzione inversa. Inoltre, pilotare un GIT GaN con tali circuiti di pilotaggio del gate diventa più suscettibile alla falsa accensione. In questo articolo viene proposto un circuito di pilotaggio del gate adatto per un GIT GaN senza condensatore di accelerazione. Questo tipo può fornire la commutazione ad alta velocità e presentare una bassa perdita di comando del gate e una perdita di conduzione inversa. Il circuito proposto presenta inoltre un'elevata immunità contro la falsa accensione e una tensione gate-source stabile prima e dopo l'avvio. Viene calcolata la perdita di azionamento del tipo proposto e la sua validità è confermata sperimentalmente. Inoltre, la perdita di pilotaggio del tipo proposto viene confrontata con i circuiti convenzionali. Il risultato mostra che la perdita di azionamento del tipo proposto è migliorata fino al 50% rispetto al tipo convenzionale. Infine, il tipo proposto viene testato sperimentalmente per pilotare un convertitore buck alla frequenza di commutazione di 150 kHz. La perdita complessiva del convertitore può essere ridotta fino al 9.2% a 250 W, rispetto al tipo convenzionale.”

Trovare il documento tecnico qui. Pubblicato aprile 2023.

F. Hattori, Y. Yanagisawa, J. Imaoka e M. Yamamoto, "Gate Drive Circuit Adatto per un GaN Gate Injection Transistor", in IEEE Access, doi: 10.1109/ACCESS.2023.3270261.

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