Miglioramento delle prestazioni del transistor attraverso la riduzione della resistenza di contatto utilizzando materiali 2D

I transistor sono gli elementi costitutivi dell'elettronica moderna e le loro prestazioni sono essenziali per il funzionamento di molti dispositivi. Uno dei fattori chiave che limitano le prestazioni dei transistor è la resistenza di contatto, ovvero la resistenza tra la sorgente e il drain del transistor. Questa resistenza può causare perdita di potenza e limitare la velocità del transistor. Fortunatamente, i recenti progressi nei materiali bidimensionali (2D) hanno consentito ai ricercatori di ridurre la resistenza di contatto e migliorare le prestazioni dei transistor.

I materiali 2D sono una classe di materiali spessi solo pochi atomi. Questi materiali hanno proprietà uniche che li rendono ideali per l'uso nei transistor. Ad esempio, sono altamente conduttivi e hanno una bassa resistenza di contatto. Ciò significa che possono essere utilizzati per ridurre la resistenza tra source e drain di un transistor, migliorandone così le prestazioni.

I ricercatori hanno sviluppato diversi metodi per ridurre la resistenza di contatto utilizzando materiali 2D. Un approccio consiste nell’utilizzare materiali 2D come “ponte” tra la sorgente e il drain di un transistor. Questo ponte riduce la distanza tra i due contatti, riducendo così la resistenza di contatto. Un altro approccio consiste nell’utilizzare materiali 2D come “barriera” tra la sorgente e il drenaggio. Questa barriera impedisce la dispersione di corrente, riducendo così la resistenza di contatto.

Oltre a ridurre la resistenza di contatto, i materiali 2D possono essere utilizzati anche per migliorare altri aspetti delle prestazioni dei transistor. Ad esempio, possono essere utilizzati per ridurre la dispersione di gate, ovvero la quantità di corrente che fuoriesce attraverso il gate di un transistor. Ciò riduce il consumo energetico e aumenta la velocità. Inoltre, i materiali 2D possono essere utilizzati per aumentare la tensione di rottura di un transistor, che è la tensione massima che può sopportare prima di guastarsi.

Nel complesso, i materiali 2D hanno consentito ai ricercatori di ridurre la resistenza di contatto e migliorare le prestazioni dei transistor. Utilizzando questi materiali come ponti o barriere tra la sorgente e il drain di un transistor, i ricercatori possono ridurre la resistenza di contatto e migliorare altri aspetti delle prestazioni dei transistor. Ciò ha consentito ai ricercatori di creare transistor più veloci ed efficienti che possono essere utilizzati in una varietà di applicazioni.

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• Fonte: Plato Data Intelligence: PlatoAiStream