ST Boosts EV Performance And Driving Range With New Silicon Carbide Power Modules

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12 दिसम्बर 2022

जिनेवा, स्विट्जरलैंड के एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स ने इलेक्ट्रिक वाहनों (ईवी) के लिए नए हाई-पावर सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) मॉड्यूल जारी किए हैं जो प्रदर्शन और ड्राइविंग रेंज को बढ़ावा देते हैं। अब उत्पादन में, एसीपैक ड्राइव मॉड्यूल को हुंडई के ई-जीएमपी इलेक्ट्रिक वाहन प्लेटफॉर्म (जिसे किआ ईवी 6 और कई मॉडलों द्वारा साझा किया गया है) के लिए चुना गया है।

पांच नए SiC MOSFET-आधारित पावर मॉड्यूल वाहन निर्माताओं के लिए लचीले विकल्प प्रदान करते हैं, जो आमतौर पर EV ट्रैक्शन अनुप्रयोगों में उपयोग किए जाने वाले ऑपरेटिंग वोल्टेज के लिए पावर रेटिंग और समर्थन के चयन को कवर करते हैं। ट्रैक्शन अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित एसटी के एसीपैक ड्राइव पैकेज में रखे गए, पावर मॉड्यूल को विश्वसनीय (सिंटरिंग तकनीक के कारण), मजबूत और निर्माताओं के लिए ईवी ड्राइव में एकीकृत करना आसान माना जाता है। आंतरिक रूप से, मुख्य पावर सेमीकंडक्टर एसटी की तीसरी पीढ़ी (जेन 3) एसटीपावर सीआईसी एमओएसएफईटी हैं, जो उद्योग की अग्रणी योग्यता (आर) होने का दावा करते हैं।डीएस (चालू) x डाई एरिया) बहुत कम स्विचिंग ऊर्जा और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन में सुपर प्रदर्शन के साथ।

एसटी के ऑटोमोटिव और डिस्क्रीट ग्रुप के अध्यक्ष मार्को मोंटी कहते हैं, "एसटी सिलिकॉन कार्बाइड समाधान प्रमुख ऑटोमोटिव ओईएम को ईवीएस की भविष्य की पीढ़ियों को विकसित करते समय विद्युतीकरण की गति निर्धारित करने में सक्षम बना रहे हैं।" "हमारी तीसरी पीढ़ी की SiC तकनीक उच्चतम शक्ति घनत्व और ऊर्जा दक्षता सुनिश्चित करती है, जिसके परिणामस्वरूप बेहतर वाहन प्रदर्शन, रेंज और चार्ज समय होता है।"

हुंडई मोटर कंपनी ने अपने वर्तमान पीढ़ी के ईवी प्लेटफॉर्म, जिसे ई-जीएमपी कहा जाता है, के लिए ST के ACEPACK DRIVE SiC-MOSFET Gen3-आधारित पावर मॉड्यूल को चुना है। विशेष रूप से, मॉड्यूल किआ EV6 को शक्ति प्रदान करेंगे। हुंडई मोटर ग्रुप में इन्वर्टर इंजीनियरिंग डिजाइन टीम, सांग-चेओल शिन कहते हैं, "ST के SiC MOSFET-आधारित पावर मॉड्यूल हमारे ट्रैक्शन इनवर्टर के लिए सही विकल्प हैं, जो लंबी दूरी को सक्षम करते हैं।" "हमारी दोनों कंपनियों के बीच सहयोग ने अधिक टिकाऊ इलेक्ट्रिक वाहनों की दिशा में एक महत्वपूर्ण कदम उठाया है, जो विद्युतीकरण क्रांति में अग्रणी सेमीकंडक्टर अभिनेता बनने के लिए एसटी के निरंतर तकनीकी निवेश का लाभ उठा रहा है।"

ST पहले ही दुनिया भर में तीन मिलियन से अधिक बड़े पैमाने पर उत्पादित यात्री कारों के लिए STPOWER SiC उपकरणों की आपूर्ति कर चुका है। कैटेनिया में हाल ही में घोषित पूरी तरह से एकीकृत SiC सब्सट्रेट विनिर्माण सुविधा के साथ, 2023 में उत्पादन शुरू होने की उम्मीद है, एसटी ई-मोबिलिटी की ओर तेजी से बाजार परिवर्तन का समर्थन करने के लिए तेजी से आगे बढ़ रहा है।

ST के 1200V ADP280120W3, ADP360120W3 और ADP480120W3(-L) मॉड्यूल पहले से ही पूर्ण उत्पादन में हैं। 750V ACEPACK ड्राइव ADP46075W3 और ADP61075W3 मार्च 2023 तक पूर्ण उत्पादन में होंगे। वे ट्रैक्शन इनवर्टर के लिए एक प्लग-एंड-प्ले समाधान सक्षम करते हैं, जो सीधे तरल शीतलन के साथ संगत है, और कुशल गर्मी लंपटता के लिए एक पिन-फिन सरणी की विशेषता है। 175°C के अधिकतम जंक्शन तापमान तक निर्दिष्ट, वे लंबे समय तक चलने वाले और विश्वसनीय प्रेस-फिट कनेक्शन प्रदान करते हैं और ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों में विस्तारित जीवनकाल सुनिश्चित करने के लिए सब्सट्रेट में पासे को सिंटर किया जाता है। एसटी इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (आईजीबीटी)- और डायोड-आधारित एसीपैक ड्राइव संस्करणों को शामिल करने के लिए उत्पाद पोर्टफोलियो का विस्तार करेगा।

मॉड्यूल में सक्रिय मेटल ब्रेज़्ड (एएमबी) सब्सट्रेट तकनीक की सुविधा है, जो उत्कृष्ट तापीय दक्षता और यांत्रिक शक्ति के लिए जानी जाती है, जो प्रत्येक सब्सट्रेट के लिए एक समर्पित एनटीसी (नकारात्मक तापमान गुणांक थर्मिस्टर) लगाती है। वे वेल्डेड या स्क्रू-फिट बसबार के विकल्प के साथ भी उपलब्ध हैं, जो विभिन्न माउंटिंग आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए लचीलापन प्रदान करते हैं। एक लंबा-बसबार विकल्प मोटर करंट की निगरानी के लिए हॉल सेंसर के विकल्प की अनुमति देकर लचीलेपन को और बढ़ाता है।

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