समाचार: माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक
11 जनवरी 2023
जापान के आरओएचएम ने जापानी ऑटोमोटिव पार्ट्स निर्माता हिताची एस्टेमो लिमिटेड द्वारा बनाए गए इलेक्ट्रिक वाहन (ईवी) इनवर्टर में अपनी नई चौथी पीढ़ी के सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) एमओएसएफईटी और गेट ड्राइवर आईसी को अपनाने की घोषणा की है।
विशेष रूप से ईवी के लिए, इन्वर्टर, जो ड्राइव सिस्टम में एक केंद्रीय भूमिका निभाता है, को क्रूज़िंग रेंज का विस्तार करने और ऑनबोर्ड बैटरी के आकार को कम करने के लिए और अधिक कुशल बनाने की आवश्यकता है, जिससे SiC पावर उपकरणों की अपेक्षाएं बढ़ जाती हैं।
ROHM का कहना है कि इसके नवीनतम चौथी पीढ़ी के SiC MOSFETs बेहतर शॉर्ट-सर्किट झेलने के समय के साथ-साथ उद्योग के सबसे कम ON-प्रतिरोध का दावा करते हैं, जिससे बिजली की खपत को 6% कम करके इलेक्ट्रिक वाहनों की क्रूज़िंग रेंज का विस्तार करना संभव हो जाता है। मुख्य इन्वर्टर में स्थापित होने पर सिलिकॉन आईजीबीटी (अंतर्राष्ट्रीय मानक डब्ल्यूएलटीसी ईंधन दक्षता परीक्षण द्वारा गणना के अनुसार)।
हिताची एस्टेमो, जो कई वर्षों से वाहन मोटर्स और इनवर्टर के लिए उन्नत तकनीक विकसित कर रही है, के पास पहले से ही तेजी से लोकप्रिय ईवी बाजार में एक ट्रैक रिकॉर्ड है। हालाँकि, यह पहली बार है कि प्रदर्शन को और बेहतर बनाने के लिए मुख्य इन्वर्टर सर्किट के लिए SiC उपकरणों को अपनाया जाएगा। इनवर्टर की आपूर्ति 2025 से वाहन निर्माताओं को की जाने वाली है, जो जापान से शुरू होगी और फिर विदेशों में विस्तार करेगी।
आरओएचएम का कहना है कि, आगे बढ़ते हुए, SiC बिजली उपकरणों के आपूर्तिकर्ता के रूप में, यह अपने लाइनअप को मजबूत करना जारी रखेगा और बिजली समाधान प्रदान करेगा जो प्रदर्शन को अधिकतम करने के लिए डिज़ाइन किए गए नियंत्रण आईसी जैसे परिधीय उपकरण प्रौद्योगिकियों के संयोजन से वाहनों में तकनीकी नवाचार में योगदान देता है।
ROHM की चौथी पीढ़ी के SiC MOSFETs का उपयोग EVs के लिए SEMIKRON के eMPack पावर मॉड्यूल में किया जाएगा
ROHM ने चौथी पीढ़ी के SiC MOSFETs का अनावरण किया
www.rohm.com/web/global/sic-mosfet
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- स्रोत: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/jan/rohm-110123.shtml
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