समाचार: माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक
25 मई 2023
गैलियम नाइट्राइड (GaN) पावर IC और सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) टेक्नोलॉजी फर्म, Torrance, CA, USA की नवितास सेमीकंडक्टर का कहना है कि इसकी GeneSiC पावर सेमीकंडक्टर को फ्रांस स्थित एक्साइड टेक्नोलॉजीज द्वारा अपनाया गया है ताकि विश्वसनीयता, सुरक्षा, सहजता सुनिश्चित की जा सके। औद्योगिक सामग्री प्रबंधन उपकरणों के लिए इसके उच्च-आवृत्ति वाले फास्ट चार्जर्स में उपयोग और इष्टतम चार्जिंग।
औद्योगिक और ऑटोमोटिव बाजारों के लिए स्थायी बैटरी स्टोरेज समाधान प्रदाता के रूप में, एक्साइड की लीड-एसिड और लिथियम-आयन समाधानों की रेंज ट्रैक्शन बैटरी और सामग्री हैंडलिंग उपकरण और रोबोटिक्स के लिए चार्जिंग समाधान सहित अनुप्रयोगों की सेवा करती है, स्वामित्व की न्यूनतम कुल लागत के साथ फ्लीट अपटाइम को अधिकतम करती है। .
वाइड-बैंडगैप पावर सेमीकंडक्टर सामग्री के रूप में, सिलिकॉन कार्बाइड तेजी से उच्च-शक्ति, उच्च-वोल्टेज अनुप्रयोगों जैसे अक्षय ऊर्जा, ऊर्जा भंडारण और माइक्रो-ग्रिड, इलेक्ट्रिक वाहन (ईवी) और औद्योगिक अनुप्रयोगों में सिलिकॉन चिप्स की जगह ले रहा है। Navitas का दावा है कि GeneSiC 'ट्रेंच-असिस्टेड प्लानर-गेट' SiC MOSFET तकनीक उच्च दक्षता, उच्च गति का प्रदर्शन प्रदान करती है, जिसके परिणामस्वरूप 25°C तक कम केस तापमान और वैकल्पिक SiC उत्पादों की तुलना में तीन गुना अधिक जीवन होता है। उच्चतम-प्रकाशित 100%-परीक्षित हिमस्खलन क्षमता के साथ, 30% लंबा शॉर्ट-सर्किट समय का सामना करता है, और आसान समानता के लिए स्थिर थ्रेशोल्ड वोल्टेज, GeneSiC MOSFETs उच्च-शक्ति, फास्ट-टाइम-टू-मार्केट अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं, फर्म जोड़ता है .
एक्साइड के उच्च-आवृत्ति चार्जर 220V एसी पावर को लीड-एसिड- और लिथियम-आयन-संचालित औद्योगिक वाहनों के लिए 24V और 80V के बीच बैटरी-स्तर वोल्टेज में परिवर्तित करते हैं। 7kW मॉड्यूल आवृत्ति-अनुकूलित आर्किटेक्चर के साथ GeneSiC G3R60MT07D (750V) MOSFETs और GD10MPS12A (1200V) MPS Schottky डायोड का उपयोग करता है। उसी प्लेटफॉर्म को 10kW में अपग्रेड किया जा सकता है, समानांतर में चार मॉड्यूल के साथ 40kW की विश्वसनीय फास्ट-चार्जिंग पावर प्रदान करने के लिए।
एक्साइड टेक्नोलॉजीज में डायरेक्टर प्रोडक्ट मैनेजमेंट मोशन, डॉ. डॉमिनिक मार्ग्राफ कहते हैं, "एक्साइड टेक्नोलॉजीज 24/7 चलने वाली महत्वपूर्ण सामग्री हैंडलिंग उपकरण के लिए क्लोज सिस्टम मॉनिटरिंग के साथ पूर्ण, सावधानीपूर्वक नियंत्रित फास्ट चार्जिंग प्रदान करती है।" "Navitas की GeneSiC तकनीक उपयोग में आसान है, उत्कृष्ट समर्थन, बढ़ी हुई सिस्टम दक्षता और कूलर ऑपरेशन के साथ," उन्होंने टिप्पणी की।
KATEK के 4.6kW Steca सोलर इनवर्टर में इस्तेमाल किए गए Navitas के GeneSiC MOSFETs
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- स्रोत: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/navitas-250523.shtml
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