निकल इलेक्ट्रोड के साथ हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड मेमिस्टर: वर्तमान चालन तंत्र और प्रतिरोधी स्विचिंग व्यवहार (आरडब्ल्यूटीएच आचेन)

आरडब्ल्यूटीएच आचेन विश्वविद्यालय और पीटर ग्रुएनबर्ग इंस्टीट्यूट के शोधकर्ताओं द्वारा "निकेल इलेक्ट्रोड के साथ हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड थ्रेशोल्ड मेमरिस्टर्स में प्रतिरोधी स्विचिंग और वर्तमान चालन तंत्र" नामक एक नया तकनीकी पेपर प्रकाशित किया गया था।

सार:

“2डी इंसुलेटिंग सामग्री हेक्सागोनल बोरान नाइट्राइड (एच-बीएन) ने अपने अनुकूल भौतिक गुणों के कारण यादगार उपकरणों में सक्रिय माध्यम के रूप में बहुत अधिक ध्यान आकर्षित किया है, दूसरों के बीच एक विस्तृत बैंडगैप जो एक बड़ी स्विचिंग विंडो को सक्षम बनाता है। प्रतिरोधी स्विचिंग (आरएस) तंत्र के रूप में एच-बीएन उपकरणों के लिए धातु फिलामेंट निर्माण का अक्सर सुझाव दिया जाता है, जो आमतौर पर प्रवाहकीय परमाणु बल माइक्रोस्कोपी (सी-एएफएम) या ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (टीईएम) जैसे अत्यधिक विशिष्ट तरीकों द्वारा समर्थित होता है। यहां, दो निकल (नी) इलेक्ट्रोड के साथ मल्टीलेयर हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड (एच-बीएन) थ्रेशोल्ड मेमरिस्टर्स के स्विचिंग की जांच उनके वर्तमान संचालन तंत्र के माध्यम से की जाती है। उच्च और निम्न दोनों प्रतिरोध स्थितियों का तापमान-निर्भर वर्तमान-वोल्टेज माप के माध्यम से विश्लेषण किया जाता है। प्रतिरोधी स्विचिंग तंत्र के रूप में एच-बीएन फिल्म में बोरान दोषों के साथ निकल फिलामेंट्स का निर्माण और वापसी प्रस्तावित है। 2डी सामग्रियों से बने मेमरिस्टर्स में प्रतिरोधी स्विचिंग घटना के विश्लेषण के लिए एक मूल्यवान उपकरण के रूप में तापमान-निर्भर वर्तमान-वोल्टेज माप स्थापित करने के लिए विद्युत डेटा को टीईएम विश्लेषण के साथ पुष्टि की जाती है। मेमरिस्टर्स एच-बीएन-आधारित थ्रेशोल्ड स्विच में अत्याधुनिक, 5% की कम चक्र-दर-चक्र परिवर्तनशीलता और एक बड़े ऑन के अनुरूप एक विस्तृत और ट्यून करने योग्य वर्तमान संचालन रेंज और कम स्टैंड-बाय धाराओं का प्रदर्शन करते हैं। /ऑफ़ अनुपात 10⁷".

खोज तकनीकी कागज यहाँ. मई 2023 को प्रकाशित।

वोल्केल, एल., ब्रौन, डी., बेलेट, एम., कटारिया, एस., वाह्लब्रिंक, टी., पद।, किस्टरमैन, के., मेयर, जे., मेन्ज़ेल, एस., डौस, ए., लेम्मे, एम. सी., निकेल इलेक्ट्रोड के साथ हेक्सागोनल बोरोन नाइट्राइड थ्रेशोल्ड मेमरिस्टर्स में प्रतिरोधी स्विचिंग और वर्तमान चालन तंत्र. अभिभाषक। Funct। मेटर। 2023, 2300428. https://doi.org/10.1002/adfm.202300428.

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• स्रोत: https://semiengineering.com/hexagonal-boron-nitride-memristors-with-nickel-electrodes-current-conduction-mechanisms-resistive-switching-behavior-rwth-aachen/