फेरोइलेक्ट्रिक एचईएमटी रीकॉन्फिगरेबल ट्रांजिस्टर (मिशिगन का यू।)

मिशिगन विश्वविद्यालय के शोधकर्ताओं द्वारा "पूरी तरह से एपिटैक्सियल, मोनोलिथिक ScAlN/AlGaN/GaN फेरोइलेक्ट्रिक HEMT" नामक एक नया तकनीकी पेपर प्रकाशित किया गया था।

"हम अपने फेरोइलेक्ट्रिक एचईएमटी को पुन: कॉन्फ़िगर करने योग्य बना सकते हैं," इसका मतलब है कि यह कई उपकरणों के रूप में कार्य कर सकता है, जैसे कि एक एम्पलीफायर कई एम्पलीफायरों के रूप में काम करता है जिसे हम गतिशील रूप से नियंत्रित कर सकते हैं। यह हमें सर्किट क्षेत्र को कम करने और लागत के साथ-साथ ऊर्जा खपत को कम करने की अनुमति देता है, ”मिशिगन विश्वविद्यालय में ईसीई के पहले लेखक और शोध वैज्ञानिक डिंग वांग ने कहा। ख़बर खोलना.

तकनीकी खोजें कागज यहाँ. मार्च 2023 को प्रकाशित।

वांग, डी., वांग, पी., हे, एम., लियू, जे., मंडल, एस., हू, एम., ... और एमआई, जेड. (2023)। पूरी तरह से एपिटैक्सियल, मोनोलिथिक ScAlN/AlGaN/GaN फेरोइलेक्ट्रिक HEMT। एप्लाइड फिजिक्स पत्र, 122(9), 090601. https://doi.org/10.1063/5.0143645.

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• स्रोत: https://semiengineering.com/ferroelectric-hemt-reconfigurable-transistor-u-of-michigan/