डिस्कवरी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के जीवनकाल को लंबा करने में मदद कर सकती है: अनुसंधान से इलेक्ट्रॉनिक्स को बेहतर धीरज के साथ डिजाइन किया जा सकता है

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इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी छवियां क्रिया में गिरावट दिखाती हैं। सिडनी की क्रेडिट यूनिवर्सिटी
इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी छवियां क्रिया में गिरावट दिखाती हैं। सिडनी की क्रेडिट यूनिवर्सिटी

सार:
फेरोइलेक्ट्रिक सामग्री का उपयोग मेमोरी, कैपेसिटर, एक्चुएटर और सेंसर सहित कई उपकरणों में किया जाता है। इन उपकरणों का उपयोग आमतौर पर उपभोक्ता और औद्योगिक उपकरणों, जैसे कंप्यूटर, मेडिकल अल्ट्रासाउंड उपकरण और पानी के नीचे सोनार दोनों में किया जाता है।

डिस्कवरी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के जीवनकाल को लंबा करने में मदद कर सकती है: अनुसंधान से इलेक्ट्रॉनिक्स को बेहतर धीरज के साथ डिजाइन किया जा सकता है


सिडनी, ऑस्ट्रेलिया | 9 अप्रैल, 2021 को पोस्ट किया गया

Over time, ferroelectric materials are subjected to repeated mechanical and electrical loading, leading to a progressive decrease in their functionality, ultimately resulting in failure. This process is referred to as ‘ferroelectric fatigue’.

यह कई प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की विफलता का मुख्य कारण है, जिसमें फेंके गए इलेक्ट्रॉनिक्स ई-कचरे में प्रमुख योगदानकर्ता हैं। वैश्विक स्तर पर, हर साल लाखों टन विफल इलेक्ट्रॉनिक उपकरण लैंडफिल में चले जाते हैं।

Using advanced in-situ electron microscopy, the School of Aerospace, Mechanical and Mechatronic Engineering researchers were able to observe ferroelectric fatigue as it occurred. This technique uses an advanced microscope to ‘see’, in real-time, down to the nanoscale and atomic levels.

शोधकर्ताओं को उम्मीद है कि नेचर कम्युनिकेशंस में प्रकाशित एक पेपर में वर्णित यह नया अवलोकन, फेरोइलेक्ट्रिक नैनोडेविसेस के भविष्य के डिजाइन को बेहतर ढंग से सूचित करने में मदद करेगा।

“Our discovery is a significant scientific breakthrough as it shows a clear picture of how the ferroelectric degradation process is present at the nanoscale,” said co-author Professor Xiaozhou Liao, also from the University of Sydney Nano Institute.

Dr Qianwei Huang, the study’s lead researcher, said: “Although it has long been known that ferroelectric fatigue can shorten the lifespan of electronic devices, how it occurs has previously not been well understood, due to a lack of suitable technology to observe it.”

Co-author Dr Zibin Chen said: “With this, we hope to better inform the engineering of devices with longer lifespans.”

अवलोकन संबंधी निष्कर्ष नई बहस को जन्म देते हैं

Nobel laureate Herbert Kroemer once famously asserted “The interface is the device”. The observations by the Sydney researchers could therefore spark a new debate on whether interfaces – which are physical boundaries separating different regions in materials – are a viable solution to the unreliability of next-generation devices.

“Our discovery has indicated that interfaces could actually speed up ferroelectric degradation. Therefore, better understanding of these processes is needed to achieve the best performance of devices,” Dr Chen said.

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प्रकटीकरण:

शोध को फेरोइलेक्ट्रिक सामग्रियों में चक्रीय थकान की संरचनात्मक उत्पत्ति को उजागर करने वाली परियोजना के लिए ऑस्ट्रेलियाई अनुसंधान परिषद द्वारा समर्थित किया गया था। इसे सिडनी विश्वविद्यालय में ऑस्ट्रेलियन सेंटर फॉर माइक्रोस्कोपी एंड माइक्रोएनालिसिस द्वारा सुगम बनाया गया था।

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स्रोत: http://www.nanotech-now.com/news.cgi?story_id=56640

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