NEC अगली पीढ़ी के नेटवर्क के लिए उच्च-गति, उच्च-क्षमता वाला पावर एम्पलीफायर विकसित करता है

टोक्यो, 19 जनवरी, 2023 - (JCN Newswire) - NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) ने एक पावर एम्पलीफायर विकसित किया है जो मोबाइल एक्सेस और फ्रंटहॉल/बैकहॉल वायरलेस संचार उपकरण के लिए एक प्रमुख उपकरण के रूप में काम करेगा ताकि उच्च गति, उच्च गति को सक्षम किया जा सके। -क्षमता संचार 5G उन्नत और 6G नेटवर्क के लिए। यह पावर एम्पलीफायर GaAs तकनीक का उपयोग करता है जिसका बड़े पैमाने पर उत्पादन किया जा सकता है और इसने 10 GHz बैंड में 150 mW की दुनिया की उच्चतम आउटपुट पावर (*) हासिल की है। इसका लाभ उठाते हुए, एनईसी का उद्देश्य उपकरण विकास और सामाजिक कार्यान्वयन दोनों को तेजी से ट्रैक करना है।

नव विकसित डी बैंड पावर एम्पलीफायर

5G उन्नत और 6G से 100 Gbps-श्रेणी की उच्च-गति, उच्च-क्षमता संचार देने की उम्मीद है, जो वर्तमान 10G की गति के 5 गुना के बराबर है। इसे सब-टेराहर्ट्ज़ बैंड (100 से 300 गीगाहर्ट्ज़) के उपयोग के माध्यम से प्रभावी ढंग से प्राप्त किया जा सकता है, जो 10 गीगाहर्ट्ज़ या उससे अधिक की विस्तृत बैंडविड्थ प्रदान कर सकता है। विशेष रूप से, डी बैंड (130 से 174.8 गीगाहर्ट्ज़) का शीघ्र व्यावसायीकरण, जो अंतरराष्ट्रीय स्तर पर फिक्स्ड वायरलेस संचार के लिए आवंटित किया जाता है, अपेक्षित है।

NEC 5G बेस स्टेशनों और PASOLINK, एक अल्ट्रा-कॉम्पैक्ट माइक्रोवेव संचार प्रणाली के लिए रेडियो उपकरणों के विकास और संचालन के माध्यम से तैयार किए गए उच्च-आवृत्ति बैंड के अपने ज्ञान का लाभ उठाकर तकनीकी विकास में प्रगति करना जारी रखता है, जो बेतार संचार के माध्यम से बेस स्टेशनों को जोड़ता है।

नव विकसित पावर एम्पलीफायर व्यावसायिक रूप से उपलब्ध 0.1-माइक्रोन गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) स्यूडोमोर्फिक उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टर (pHEMT) प्रक्रिया का उपयोग करता है। सब-टेराहर्ट्ज़ बैंड के लिए उपयोग किए जाने वाले CMOS और सिलिकॉन जर्मेनियम (SiGe) की तुलना में, GaAs pHEMT में उच्च परिचालन वोल्टेज और बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए प्रारंभिक लागत कम होती है।

सर्किट डिजाइन के संदर्भ में, यह पावर एम्पलीफायर उच्च आवृत्ति बैंड में प्रदर्शन को कम करने वाले कारकों को समाप्त करता है और उच्च आउटपुट पावर के लिए उपयुक्त प्रतिबाधा मिलान नेटवर्क कॉन्फ़िगरेशन का उपयोग करता है। इसके परिणामस्वरूप 110 गीगाहर्ट्ज़ और 150 गीगाहर्ट्ज़ के बीच उत्कृष्ट उच्च-आवृत्ति विशेषताओं के साथ-साथ GaAs pHEMT के लिए दुनिया की उच्चतम आउटपुट शक्ति प्राप्त हुई है।

उच्च-प्रदर्शन, 100 गीगाहर्ट्ज़ से ऊपर कम लागत वाले रेडियो संचार उपकरण की प्राप्ति के अलावा, यह पावर एम्पलीफायर 5G उन्नत और 6G के सामाजिक कार्यान्वयन को गति देगा।

आगे बढ़ते हुए, NEC 5G उन्नत और 6G के लिए उच्च-गति, उच्च-क्षमता, लागत प्रभावी वायरलेस संचार प्राप्त करने के उद्देश्य से प्रौद्योगिकियों का विकास जारी रखेगी।

यह शोध जापान के आंतरिक मामलों और संचार मंत्रालय (JPJ000254) द्वारा समर्थित है।

NEC 2023 जनवरी, 22 से शुरू होने वाले लास वेगास, नेवादा, यूएसए में आयोजित होने वाले एक अंतर्राष्ट्रीय सम्मेलन रेडियो और वायरलेस एप्लिकेशन (PAWR2023) के लिए RF/माइक्रोवेव पावर एम्पलीफायरों पर IEEE सामयिक सम्मेलन में इस तकनीक के बारे में और विवरण की घोषणा करेगा।

(*) 19 जनवरी, 2023 तक एनईसी के शोध के अनुसार।

NEC Corporation के बारे में

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• स्रोत: https://www.jcnnewswire.com/pressrelease/80564/3/