SweGaN nomme Stefan Axelsson au poste de directeur financier et Anders Lundskog au poste de responsable R&D

Actualités : Fournisseurs

17 Janvier 2024

SweGaN AB de Linköping, en Suède — qui développe et fabrique des plaquettes épitaxiales personnalisées en nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN-on-SiC) (basées sur une technologie de croissance unique) pour les applications de télécommunications, de communications par satellite, d'électronique de défense et de puissance — a nommé Stefan Axelsson au poste de directeur financier et Anders Lundskog en tant que responsable R&D. Axelsson a rejoint l'équipe de direction et Lundskog a rejoint un nouveau rôle de R&D.

« Forte d'un intérêt significatif pour les solutions épitaxiales SweGaN GaN-on-SiC pour les composants RF et de puissance, et alignée sur les projections de croissance, la société est proactive dans l'obtention de ressources et de compétences pour conquérir une part majeure du marché mondial du GaN », déclare CEO & co. -fondateur Jr-Tai Chen.

Le cabinet a déjà engagé des consultants chevronnés pour les guider dans un certain nombre de domaines. SweGaN estime que l'ajout de postes de direction clés permanents lui permet d'adopter pleinement sa stratégie de mise à l'échelle, ses nouveaux KPI, les attentes des investisseurs et d'atteindre des objectifs d'innovation ambitieux.

Axelsson possède une vaste expérience dans les domaines de la trésorerie d'entreprise, de la banque, des actifs alternatifs et de la gestion des investissements, ainsi qu'une vaste expérience industrielle, notamment SEB, Saab et Volvo.

« Alors que SweGaN entre dans ses prochaines phases de croissance, Stefan apportera l'expertise nécessaire en matière de reporting financier, de planification stratégique, de gestion des flux de trésorerie, de contrôle des coûts et de gestion des risques, pour ne citer que quelques domaines clés », déclare Chen. "De plus, il fournira des conseils d'experts lors de la collecte de fonds, ainsi qu'une prise de décision complète basée sur des chiffres pour rendre SweGaN plus résilient et compétitif", ajoute-t-il.

« Fort d'une expérience impressionnante dans le développement de procédés pour les matériaux GaN chez Infineon et dans l'ingénierie système chez Saab, Anders apporte une expérience très précieuse à l'équipe technique de SweGaN », estime Chen. Il est titulaire d'un doctorat en philosophie (Ph.D.) en science des matériaux et d'une maîtrise ès sciences (MSc) en physique appliquée et en génie électrique de l'Université de technologie de Linköping.

« En exploitant l'expérience unique de Saab et d'Infineon, les objectifs d'Anders pour le nouveau rôle de R&D seront de favoriser la créativité et la sécurité informatique, de stimuler la recherche sur l'innovation et d'aider SweGaN à obtenir et à maintenir un avantage concurrentiel », note Chen. « Ses antécédents et son enthousiasme seront précieux pour notre équipe et nos efforts technologiques », estime-t-il.

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Mots clés: HEMT GaN-on-SiC Gaufrettes épitaxiales

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• La source: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/jan/swegan-170124.shtml