ST améliore les performances et l'autonomie des véhicules électriques avec de nouveaux modules d'alimentation en carbure de silicium

ST améliore les performances et l'autonomie des véhicules électriques avec de nouveaux modules d'alimentation en carbure de silicium

Horodatage: 12 décembre 2022 10h56
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Actualités : Microelectronics

12 Décembre 2022

STMicroelectronics de Genève, en Suisse, a lancé de nouveaux modules en carbure de silicium (SiC) haute puissance pour les véhicules électriques (VE) qui améliorent les performances et l'autonomie. Actuellement en production, les modules ACEPACK DRIVE ont été sélectionnés pour la plate-forme de véhicules électriques E-GMP de Hyundai (qui est partagée par la Kia EV6 et plusieurs modèles).

Cinq nouveaux modules de puissance basés sur SiC MOSFET offrent des choix flexibles aux constructeurs automobiles, couvrant une sélection de puissances nominales et prenant en charge les tensions de fonctionnement couramment utilisées dans les applications de traction EV. Logés dans le package ACEPACK DRIVE de ST optimisé pour les applications de traction, les modules de puissance sont réputés fiables (grâce à la technologie de frittage), robustes et faciles à intégrer pour les fabricants dans les entraînements EV. En interne, les principaux semi-conducteurs de puissance sont les MOSFET STPOWER SiC de troisième génération (Gen3) de ST, qui combinent ce que l'on prétend être le meilleur facteur de mérite de l'industrie (RDS (ON) x zone de matrice) avec une très faible énergie de commutation et de super performances en redressement synchrone.

« Les solutions en carbure de silicium de ST permettent aux principaux équipementiers automobiles d'imposer le rythme de l'électrification lors du développement des futures générations de véhicules électriques », déclare Marco Monti, président du groupe automobile et discret de ST. "Notre technologie SiC de troisième génération garantit la plus grande densité de puissance et efficacité énergétique, ce qui se traduit par des performances, une autonomie et un temps de charge supérieurs du véhicule."

Hyundai Motor Company a choisi les modules de puissance basés sur SiC-MOSFET Gen3 ACEPACK DRIVE de ST pour sa plate-forme EV de génération actuelle, appelée E-GMP. Les modules alimenteront notamment la Kia EV6. « Les modules de puissance à base de MOSFET SiC de ST sont le bon choix pour nos onduleurs de traction, permettant une portée plus longue », déclare Sang-Cheol Shin, équipe de conception d'ingénierie des onduleurs chez Hyundai Motor Group. "La coopération entre nos deux sociétés a franchi une étape importante vers des véhicules électriques plus durables, en tirant parti de l'investissement technologique continu de ST pour être le principal acteur des semi-conducteurs dans la révolution de l'électrification."

ST a déjà fourni des dispositifs STPOWER SiC pour plus de trois millions de voitures particulières produites en série dans le monde. Avec l'annonce récente d'une usine de fabrication de substrats SiC entièrement intégrée à Catane, dont le démarrage de la production est prévu en 2023, ST agit rapidement pour soutenir la transition rapide du marché vers l'e-mobilité.

Les modules 1200V ADP280120W3, ADP360120W3 et ADP480120W3(-L) de ST sont déjà en pleine production. Les 750V ACEPACK DRIVE ADP46075W3 et ADP61075W3 seront en pleine production d'ici mars 2023. Ils permettent une solution plug-and-play pour les onduleurs de traction, compatible avec le refroidissement liquide direct et doté d'un réseau de broches à ailettes pour une dissipation thermique efficace. Spécifiés jusqu'à une température de jonction maximale de 175 °C, ils fournissent des connexions à ajustement serré durables et fiables et des dés frittés sur le substrat pour assurer une durée de vie prolongée dans les applications automobiles. ST élargira son portefeuille de produits pour inclure des versions ACEPACK DRIVE à transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et à diodes.

Les modules sont dotés de la technologie de substrat brasé au métal actif (AMB), connue pour son excellente efficacité thermique et sa résistance mécanique, en montant une NTC dédiée (thermistance à coefficient de température négatif) pour chaque substrat. Ils sont également disponibles avec un choix de barres omnibus soudées ou vissées, ce qui permet de répondre aux différentes exigences de montage. Une option de jeu de barres long étend encore la flexibilité en permettant le choix d'un capteur Hall pour surveiller le courant du moteur.

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Mots clés: STMicroelectronics MOSFET de puissance SiC

Visite: www.st.com

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