Les MOSFET SiC de quatrième génération de ROHM seront utilisés dans les onduleurs EV d'Hitachi Astemo

Republié par Platon

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11 Janvier 2023

La société japonaise ROHM a annoncé l'adoption de ses nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de quatrième génération et de ses circuits intégrés de commande de grille dans les onduleurs de véhicules électriques (VE) fabriqués par le fabricant japonais de pièces automobiles Hitachi Astemo Ltd.

En particulier pour les véhicules électriques, l'onduleur, qui joue un rôle central dans le système d'entraînement, doit être rendu plus efficace pour étendre l'autonomie de croisière et réduire la taille de la batterie embarquée, augmentant ainsi les attentes à l'égard des dispositifs d'alimentation SiC.

ROHM affirme que ses derniers MOSFET SiC de quatrième génération offrent une durée de tenue aux courts-circuits améliorée ainsi que ce qui est considéré comme la résistance à l'état passant la plus faible du secteur, permettant d'étendre l'autonomie de croisière des véhicules électriques en réduisant la consommation d'énergie de 6 % par rapport à IGBT au silicium (tels que calculés par le test d'efficacité énergétique de la norme internationale WLTC) lorsqu'ils sont installés dans l'onduleur principal.

Hitachi Astemo, qui développe depuis de nombreuses années des technologies avancées pour les moteurs et les onduleurs de véhicules, a déjà une solide expérience sur le marché de plus en plus populaire des véhicules électriques. Cependant, c'est la première fois que des dispositifs SiC seront adoptés pour le circuit inverseur principal afin d'améliorer encore les performances. Les onduleurs devraient être fournis aux constructeurs automobiles à partir de 2025, en commençant au Japon, puis à l'étranger.

ROHM affirme qu'à l'avenir, en tant que fournisseur de dispositifs d'alimentation SiC, il continuera à renforcer sa gamme et à fournir des solutions d'alimentation qui contribuent à l'innovation technique dans les véhicules en combinant des technologies de dispositifs périphériques telles que des circuits intégrés de contrôle conçus pour maximiser les performances.

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Mots clés: Rohm MOSFET de puissance SiC

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