Penn State et onsemi signent un protocole d'entente pour une collaboration de 8 millions de dollars sur la croissance du carbure de silicium

Penn State et onsemi signent un protocole d'entente pour une collaboration de 8 millions de dollars sur la croissance du carbure de silicium

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17 mai 2023

Le fournisseur de circuits intégrés de semi-conducteurs de puissance onsemi de Phoenix, AZ, États-Unis, a signé un protocole d'accord pour une collaboration stratégique de 8 millions de dollars qui comprend la création du onsemi Silicon Carbide Crystal Center (SiC3) au Penn State University's Materials Research Institute (MRI) . onsemi financera SiC3 avec 800,000 10 $ par an au cours des XNUMX prochaines années.

En plus de mener des recherches sur le SiC au SiC3, Penn State et onsemi visent à sensibiliser à la demande croissante d'emplois technologiques dans l'industrie des semi-conducteurs dans le cadre de leurs efforts pour améliorer la part des États-Unis dans la fabrication mondiale de semi-conducteurs. Ils s'associeront également à des initiatives de développement de la main-d'œuvre telles que des programmes de stages et de coopération et incluront des études sur les cristaux SiC et à large bande dans le programme de Penn State. La relation avec Penn State fait partie de l'engagement d'onsemi à promouvoir l'éducation STEAM (science, technologie, ingénierie, arts et mathématiques), allant de l'aide aux élèves de la maternelle à la 12e année dans les communautés mal desservies aux collaborations universitaires qui soutiennent le développement de la main-d'œuvre.

"onsemi est un innovateur éprouvé, offrant un portefeuille complet de technologies intelligentes d'alimentation et de détection pour permettre et accélérer des solutions durables sur plusieurs marchés", commente Lora Weiss, vice-présidente principale de la recherche de Penn State. « Dans le même temps, selon le classement des dépenses de recherche de la National Science Foundation, Penn State est classé premier en science des matériaux et deuxième en génie des matériaux. Nous disposons d'installations de nanofabrication et de caractérisation de classe mondiale qui soutiennent la recherche sur les couches minces, le carbure de silicium et d'autres matériaux utilisés dans les semi-conducteurs et d'autres technologies. Ces capacités complémentaires entre onsemi et Penn State auront un fort impact sur la recherche et le développement, la croissance économique et le développement de la main-d'œuvre », estime-t-elle.

Catherine Côté, vice-présidente et chef de cabinet du PDG d'onsemi, et du vice-président exécutif et prévôt de Penn State, Justin Schwartz, après avoir signé le protocole d'entente.

Photo : Catherine Côté, vice-présidente et chef de cabinet du PDG d'onsemi, et du vice-président exécutif et prévôt de Penn State, Justin Schwartz, après avoir signé le protocole d'entente.

« Penn State occupe une position unique pour établir rapidement un programme de recherche sur la croissance des cristaux de carbure de silicium », commente Pavel Freundlich, directeur de la technologie du Power Solutions Group d'onsemi. "L'université offre un large éventail de capacités basées sur sa recherche actuelle sur les matériaux, ses capacités de traitement de plaquettes dans son installation de nanofab et une suite complète d'instruments de métrologie de classe mondiale", ajoute-t-il.

« Au cours de la prochaine décennie, cette collaboration permettra à Penn State de devenir la principale ressource du pays pour la science des cristaux semi-conducteurs et le développement de la main-d'œuvre », estime Justin Schwartz, vice-président exécutif et prévôt de Penn State. "Cela ne serait pas possible sans les efforts de création de relations de Priya Baboo, directrice principale de l'engagement des entreprises et de l'industrie, et l'expertise technique de Joshua Robinson, professeur de science et d'ingénierie des matériaux, et de leurs homologues à l'onsemi", ajoute-t-il.

"L'expansion de Penn State de son programme d'études pour offrir des cours spécialisés dans le SiC et la technologie à large bande jouera un rôle clé dans la réalisation des objectifs stratégiques de développement de la main-d'œuvre d'onsemi et aidera à atteindre les objectifs de la main-d'œuvre américaine dans le domaine des semi-conducteurs, comme indiqué dans le CHIPS and Science Act récemment signé", conclut Scott Allen, vice-président, Relations universitaires, chez onsemi.

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Mots clés: SiC

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