Amélioration de la résistance de contact dans les transistors à l'aide de matériaux 2D

Amélioration de la résistance de contact dans les transistors à l'aide de matériaux 2D

Nœud source: 2018671

Les transistors sont des composants essentiels de l’électronique moderne, utilisés dans tout, des ordinateurs aux téléphones portables. Cependant, l’un des problèmes majeurs des transistors est la résistance de contact, qui peut limiter leurs performances et leur efficacité. Heureusement, les progrès récents dans le domaine des matériaux 2D ont ouvert de nouvelles possibilités pour améliorer la résistance de contact des transistors.

Les matériaux 2D sont une classe de matériaux qui n’ont qu’un ou deux atomes d’épaisseur. Cela les rend incroyablement fins et légers, mais aussi hautement conducteurs. En conséquence, ils peuvent être utilisés pour créer des contacts à résistance extrêmement faible entre les transistors et d’autres composants. Cela réduit la quantité d'énergie perdue sous forme de chaleur et augmente l'efficacité du transistor.

L’un des matériaux 2D les plus prometteurs pour améliorer la résistance de contact est le graphène. Le graphène est une seule couche d’atomes de carbone disposés dans un réseau hexagonal. Il possède une excellente conductivité électrique et thermique, ce qui en fait un matériau idéal pour créer des contacts à faible résistance entre transistors. De plus, le graphène est incroyablement résistant et flexible, ce qui le rend adapté à une utilisation dans diverses applications.

Un autre matériau 2D prometteur est le bisulfure de molybdène (MoS2). MoS2 est similaire au graphène dans la mesure où il s’agit d’une seule couche d’atomes disposés dans un réseau hexagonal. Cependant, il a une conductivité électrique plus élevée que le graphène, ce qui le rend encore plus adapté à la création de contacts à faible résistance entre transistors.

Outre le graphène et le MoS2, il existe plusieurs autres matériaux 2D qui peuvent être utilisés pour améliorer la résistance de contact des transistors. Ceux-ci comprennent le nitrure de bore, le nitrure de bore hexagonal et les dichalcogénures de métaux de transition. Chacun de ces matériaux possède des propriétés uniques qui les rendent adaptés à différentes applications.

Dans l’ensemble, les matériaux 2D offrent un moyen prometteur d’améliorer la résistance de contact des transistors. En utilisant ces matériaux pour créer des contacts à faible résistance entre les transistors et d'autres composants, les ingénieurs peuvent augmenter l'efficacité et les performances de leurs appareils. À mesure que la recherche sur les matériaux 2D continue de progresser, nous pouvons nous attendre à voir encore plus d’applications pour ces matériaux à l’avenir.

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