Circuit de commande de grille sans condensateur d'accélération pour un transistor d'injection de grille GaN

Un article technique intitulé « Gate Drive Circuit adapté à un transistor à injection de grille GaN » a été publié par des chercheurs de l'Université de Nagoya.

Abstract
« Un transistor à injection de grille GaN (GIT) présente un grand potentiel en tant que dispositif semi-conducteur de puissance. Cependant, un GaN GIT a une caractéristique de diode au niveau de la grille-source, et un circuit de commande de grille correspondant est donc requis. Plusieurs études dans la littérature ont proposé des circuits de commande de grille avec des condensateurs d'accélération, mais l'ajout de ces condensateurs complique le circuit de commande de grille et augmente à la fois les pertes de commande et de conduction inverse. De plus, piloter un GaN GIT avec de tels circuits de commande de grille devient plus sensible aux fausses activations. Dans cet article, un circuit de commande de grille adapté à un GaN GIT sans condensateur d'accélération est proposé. Ce type peut fournir une commutation à grande vitesse et présenter une faible perte de commande de grille et une perte de conduction inverse. Le circuit proposé présente également une immunité élevée contre les fausses activations et une tension grille-source stable avant et après le démarrage. La perte de puissance du type proposé est calculée et sa validité est confirmée expérimentalement. De plus, la perte de commande du type proposé est comparée à celle des circuits conventionnels. Le résultat montre que la perte de transmission du type proposé est améliorée jusqu'à 50 % par rapport au type conventionnel. Enfin, le type proposé est testé expérimentalement pour piloter un convertisseur abaisseur à la fréquence de commutation de 150 kHz. La perte totale du convertisseur peut être réduite jusqu'à 9.2 % à 250 W, par rapport au type conventionnel.

Trouvez le article technique ici. Publié en avril 2023.

F. Hattori, Y. Yanagisawa, J. Imaoka et M. Yamamoto, « Circuit de commande de grille adapté à un transistor d'injection de grille GaN », dans IEEE Access, doi : 10.1109/ACCESS.2023.3270261.

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• La source: https://semiengineering.com/gate-drive-circuit-without-a-speed-up-capacitor-for-a-gan-gate-injection-transistor/