Amélioration des performances des transistors grâce à la réduction de la résistance de contact à l'aide de matériaux 2D

Les transistors sont les éléments constitutifs de l’électronique moderne et leurs performances sont essentielles au fonctionnement de nombreux appareils. L’un des principaux facteurs limitant les performances du transistor est la résistance de contact, qui est la résistance entre la source et le drain du transistor. Cette résistance peut provoquer une perte de puissance et limiter la vitesse du transistor. Heureusement, les progrès récents dans le domaine des matériaux bidimensionnels (2D) ont permis aux chercheurs de réduire la résistance de contact et d'améliorer les performances des transistors.

Les matériaux 2D sont une classe de matériaux qui n’ont que quelques atomes d’épaisseur. Ces matériaux possèdent des propriétés uniques qui les rendent idéaux pour une utilisation dans les transistors. Par exemple, ils sont hautement conducteurs et ont une faible résistance de contact. Cela signifie qu'ils peuvent être utilisés pour réduire la résistance entre la source et le drain d'un transistor, améliorant ainsi ses performances.

Les chercheurs ont développé plusieurs méthodes pour réduire la résistance de contact à l’aide de matériaux 2D. Une approche consiste à utiliser des matériaux 2D comme « pont » entre la source et le drain d’un transistor. Ce pont réduit la distance entre les deux contacts, réduisant ainsi la résistance de contact. Une autre approche consiste à utiliser des matériaux 2D comme « barrière » entre la source et le drain. Cette barrière empêche les fuites de courant, réduisant ainsi la résistance de contact.

En plus de réduire la résistance de contact, les matériaux 2D peuvent également être utilisés pour améliorer d’autres aspects des performances des transistors. Par exemple, ils peuvent être utilisés pour réduire les fuites de grille, c'est-à-dire la quantité de courant qui s'échappe à travers la grille d'un transistor. Cela réduit la consommation d'énergie et augmente la vitesse. De plus, les matériaux 2D peuvent être utilisés pour augmenter la tension de claquage d'un transistor, qui est la tension maximale qu'il peut supporter avant de tomber en panne.

Dans l’ensemble, les matériaux 2D ont permis aux chercheurs de réduire la résistance de contact et d’améliorer les performances des transistors. En utilisant ces matériaux comme ponts ou barrières entre la source et le drain d'un transistor, les chercheurs peuvent réduire la résistance de contact et améliorer d'autres aspects des performances des transistors. Cela a permis aux chercheurs de créer des transistors plus rapides et plus efficaces pouvant être utilisés dans diverses applications.

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• Source : Platon Data Intelligence : PlatonAiStream