Aixtron lance la plateforme G10-GaN MOCVD pour les appareils de puissance et RF

Aixtron lance la plateforme G10-GaN MOCVD pour les appareils de puissance et RF

Horodatage: 6 septembre 2023 9:07 AM
Nœud source: 2867170

Actualités : Fournisseurs

6 Septembre 2023

Lors de l'événement SEMICON Taiwan 2023 à Taipei (6-8 septembre), le fabricant d'équipements de dépôt Aixtron SE de Herzogenrath, près d'Aix-la-Chapelle, en Allemagne, a lancé sa nouvelle plateforme de dépôt chimique organométallique en phase vapeur (MOCVD) en cluster G10-GaN pour le nitrure de gallium (GaN ) basés sur l'alimentation et les radiofréquences (RF), offrant ce qui est considéré comme les meilleures performances de leur catégorie, une toute nouvelle conception compacte et un coût global par tranche le plus bas.

Photo : le nouveau système G10-GaN MOCVD d'Aixtron.

« Notre nouvelle plate-forme G10-GaN a déjà été qualifiée pour la production en volume de dispositifs de puissance GaN par un important fabricant américain de dispositifs », note le PDG et président, le Dr Felix Grawert. « La nouvelle plate-forme offre deux fois plus de productivité par zone de salle blanche que notre produit précédent tout en permettant un nouveau niveau d'uniformité des matériaux, ouvrant ainsi de nouveaux leviers de compétitivité pour nos clients », ajoute-t-il. « Les appareils électriques GaN sont appelés à jouer un rôle décisif dans la réduction mondiale des émissions de CO.2 émissions en offrant une conversion de puissance beaucoup plus efficace que le silicium conventionnel, réduisant les pertes d'un facteur deux à trois. Nous nous attendons à ce que ce marché continue de croître d’ici la fin de la décennie et au-delà. Aujourd’hui, le GaN a déjà remplacé le silicium pour les chargeurs rapides utilisés dans les appareils mobiles, et nous constatons une demande croissante pour les centres de données ou les applications solaires.

Aixtron développe des procédés et du matériel GaN-on-Si depuis plus de 20 ans. Son réacteur planétaire AIX G5+ C a été le premier système GaN MOCVD entièrement automatisé grâce au nettoyage in situ et à l'automatisation cassette à cassette. La toute nouvelle solution de cluster G10-GaN s'appuie sur les mêmes principes fondamentaux tout en étendant chaque mesure de performance.

Présentée dans une nouvelle disposition compacte pour tirer parti du plus petit espace de salle blanche, la plate-forme est dotée de nouvelles entrées de réacteur, améliorant l'uniformité des matériaux d'un facteur deux pour des rendements optimaux du dispositif. Les capteurs embarqués sont complétés par une nouvelle suite logicielle et des solutions d'empreintes digitales pour garantir que le système offre systématiquement les mêmes performances, exécution après exécution, entre les maintenances de tous les modules de processus, prolongeant ainsi la disponibilité de l'équipement de plus de 5 % par rapport à la génération précédente.

Le cluster peut être équipé de jusqu'à trois modules de processus, offrant une capacité record de tranches de 15 x 200 mm grâce à la technologie de réacteur discontinu planétaire, ce qui permet une réduction de 25 % du coût par tranche par rapport aux produits précédents.

Voir les articles associés:

Aixtron investit jusqu'à 100 millions d'euros pour construire un nouveau centre d'innovation

Aixtron lance le système G10-AsP à Photonic West

Aixtron lance le système CVD G10-SiC 200 mm

Mots clés: Aixtron

Visite: www.aixtron.com

Horodatage:

Plus de Le semi-conducteur aujourd'hui