دانشگاه میشیگان ترانزیستور فروالکتریک HEMT قابل تنظیم مجدد را توسعه می دهد

تمبر زمان: 10 مارس 2023، 3:16 بعد از ظهر
گره منبع: 2009622

دانشگاه میشیگان اخیرا نوع جدیدی از ترانزیستور را توسعه داده است که می تواند صنعت الکترونیک را متحول کند. ترانزیستور جدید که HEMT قابل تنظیم مجدد فروالکتریک (ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا) نامیده می شود، نوعی ترانزیستور اثر میدانی است که می تواند برای انجام عملکردهای مختلف مجدداً پیکربندی شود. این بدان معنی است که مهندسان می توانند مدارهایی را با اجزای کمتر طراحی کنند و پیچیدگی طراحی آنها را کاهش دهند.

The Reconfigurable Ferroelectric HEMT is based on a ferroelectric material, which is a material that can store electrical charges. This material is sandwiched between two metal layers, and when an electric field is applied to the material, it creates a charge that can be used to control the transistor’s behavior. By changing the electric field, engineers can control the transistor’s behavior and configure it to perform different functions.

HEMT فروالکتریک قابل تنظیم مجدد دارای چندین مزیت نسبت به ترانزیستورهای سنتی است. به عنوان مثال، می توان آن را به سرعت و به راحتی پیکربندی مجدد کرد، که آن را برای برنامه هایی که نیاز به تغییرات مکرر در عملکرد دارند، ایده آل می کند. علاوه بر این، نسبت به ترانزیستورهای سنتی کارآمدتر انرژی است، به این معنی که می تواند مصرف برق در دستگاه های الکترونیکی را کاهش دهد. در نهایت، همچنین نسبت به ترانزیستورهای سنتی قابل اعتمادتر است، که آن را برای استفاده در برنامه های کاربردی حیاتی مناسب می کند.

The development of the Reconfigurable Ferroelectric HEMT is an important step forward for the electronics industry. This new type of transistor will allow engineers to design more efficient and reliable circuits with fewer components. It could also lead to the development of new types of devices and applications that were not previously possible. The University of Michigan’s breakthrough could potentially revolutionize the electronics industry and open up new possibilities for engineers and designers.

تمبر زمان:

بیشتر از نیمه هادی / Web3