میتسوبیشی الکتریک برای ارسال نمونه‌های ماژول SiC MOSFET 3.3 کیلوولتی SBD

بازنشر افلاطون

دنبال: 0

11 مه 2023

شرکت میتسوبیشی الکتریک مستقر در توکیو پس از عرضه چهار ماژول کامل SiC و دو ماژول LV3.3 با ولتاژ بالا 100 کیلو ولت، می‌گوید که در 31 ماه مه حمل و نقل نمونه‌های دیود مانع شاتکی (SBD) جدید کاربیدی سیلیکونی را آغاز خواهد کرد. ماژول ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) (SiC) فلز-اکسید-نیمه هادی، دارای ولتاژ مقاومتی 3.3 کیلوولت دوگانه و 6.0 کیلوولتRMS ولتاژ جداسازی (قدرت دی الکتریک).

ماژول جدید FMF100DC-140BEW با ابعاد 40mm x 800mm x 66mm انتظار می رود از توان خروجی، کارایی و قابلیت اطمینان برتر در سیستم های اینورتر برای تجهیزات صنعتی بزرگ مانند راه آهن و سیستم های قدرت الکتریکی پشتیبانی کند.

ماژول SiC MOSFET جدید 3.3 کیلوولت SBD تعبیه شده میتسوبیشی الکتریک.

تصویر: ماژول SiC MOSFET جدید 3.3 کیلو ولت SBD تعبیه شده میتسوبیشی الکتریک.

گفته می شود که SiC-MOSFET تعبیه شده در SBD و ساختار بسته بهینه شده اتلاف سوئیچینگ را تا 91 درصد در مقایسه با ماژول برق سیلیکونی موجود این شرکت و تا 66 درصد در مقایسه با ماژول برق SiC موجود کاهش می دهد، اتلاف توان اینورتر را کاهش می دهد و به خروجی بالاتر و کمک می کند. بهره وری.

گفته می شود که SiC-MOSFET تعبیه شده در SBD و ظرفیت جریان بهینه شده نیز قابلیت اطمینان اینورتر را بهبود می بخشد.

طرح ترمینال بهینه شده اتصال موازی را فعال می کند و از تنظیمات و ظرفیت های مختلف اینورتر بسته به تعداد اتصالات موازی پشتیبانی می کند. همچنین یک ساختار بسته با پایانه های اصلی DC و AC در قطب های مخالف به ساده سازی طراحی مدار کمک می کند.

ماژول جدید FMF800DC-66BEW در نمایشگاه های تجاری بزرگ، از جمله در رویداد Power، Control and Intelligent Motion (PCIM) اروپا 2023 در نورنبرگ، آلمان (9 تا 11 مه) به نمایش گذاشته شده است.

مشاهده موارد مرتبط:

میتسوبیشی الکتریک دو ماژول 400A و 1200 ولت را به خط تولید دستگاه های برق SiC اضافه می کند.

میتسوبیشی نسل دوم ماژول های قدرت کامل SiC را برای مصارف صنعتی راه اندازی می کند

برچسب ها: ماژول های قدرت SiC میتسوبیشی الکتریک

بازدید: www.MitsubishiElectric.com/semiconductors