Navitase GeneSiC MOSFET-id, mis on vastu võetud Exide tööstuslike kõrgsageduslaadijate jaoks

Uudised: mikroelektroonika

25 mai 2023

Galliumnitriidi (GaN) võimsus-IC ja ränikarbiidi (SiC) tehnoloogiafirma Navitas Semiconductor of Torrance, CA, USA ütleb, et Prantsusmaal asuv Exide Technologies on võtnud kasutusele selle GeneSiC võimsuse pooljuhid, et tagada töökindlus, ohutus ja kasutusmugavus. kasutamine ja optimaalne laadimine tööstuslike materjalikäitlusseadmete kõrgsageduslikes kiirlaadijates.

Tööstus- ja autotööstusele säästvate akude salvestuslahenduste pakkujana pakub Exide plii-happe- ja liitiumioonlahendusi rakendusi, sealhulgas veoakusid ja laadimislahendusi materjalikäitlusseadmetele ja robootikale, maksimeerides masinapargi tööaega minimeeritud omamiskuludega. .

Laia ribaribaga pooljuhtmaterjalina asendab ränikarbiid kiiresti ränikiipe suure võimsusega kõrgepingerakendustes, nagu taastuvenergia, energiasalvestus ja mikrovõrgud, elektrisõidukid (EV) ja tööstuslikud rakendused. GeneSiC nn kraaviga tasapinnalise väravaga SiC MOSFET-tehnoloogia tagab suure tõhususe ja kiire jõudluse, mille tulemuseks on kuni 25 °C madalam korpuse temperatuur ja kuni kolm korda pikem eluiga kui alternatiivsetel SiC toodetel, väidab Navitas. Ettevõte lisab, et kõrgeima avaldatud 100% testitud laviinivõimega, 30% pikema lühise vastupidavusega ja stabiilse lävipingega lihtsaks paralleelseks ühendamiseks sobivad GeneSiC MOSFET-id suure võimsusega ja kiiresti turule jõudvateks rakendusteks. .

Exide kõrgsageduslikud laadijad muudavad 220 V vahelduvvoolu aku pingeks vahemikus 24 V kuni 80 V pliihappe- ja liitiumioontoitega tööstussõidukite jaoks. 7kW moodul kasutab GeneSiC G3R60MT07D (750V) MOSFETe ja GD10MPS12A (1200V) MPS Schottky dioode, mille sagedus on optimeeritud arhitektuuriga. Sama platvormi saab täiendada 10 kW-ni, nelja mooduliga paralleelselt, et pakkuda 40 kW usaldusväärset kiirlaadimisvõimsust.

„Exide Technologies pakub ööpäevaringselt töötavat kriitiliste materjalide käitlemise seadmete täielikku, hoolikalt kontrollitud kiirlaadimist koos süsteemi tähelepaneliku jälgimisega,“ ütleb dr Dominik Margraf, Exide Technologiesi tootehalduse juht. "Navitase GeneSiC tehnoloogia on lihtsalt kasutatav, suurepärase toe, suurenenud süsteemi efektiivsuse ja lahedama tööga," kommenteerib ta.

Vaadake seotud üksusi:

Navitase GeneSiC MOSFET-id, mida kasutatakse KATEKi 4.6 kW Steca päikeseinverterites

Navitas omandab GeneSiC, mis kiirendab sisenemist elektri-, päikese- ja energiasalvestusturgudele 2-3 aasta võrra

Sildid: Jõuelektroonika

Külasta: www.navitassemi.com

• SEO-põhise sisu ja PR-levi. Võimenduge juba täna.
• PlatoAiStream. Web3 andmete luure. Täiustatud teadmised. Juurdepääs siia.
• Tuleviku rahapaja Adryenn Ashley. Juurdepääs siia.
• Ostke ja müüge IPO-eelsete ettevõtete aktsiaid koos PREIPO®-ga. Juurdepääs siia.
• Allikas: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/may/navitas-250523.shtml