El ST aumenta el rendimiento y la autonomía de los vehículos eléctricos con nuevos módulos de potencia de carburo de silicio

Noticias: Microelectrónica

12 de diciembre 2022

STMicroelectronics de Ginebra, Suiza, ha lanzado nuevos módulos de carburo de silicio (SiC) de alta potencia para vehículos eléctricos (EV) que mejoran el rendimiento y la autonomía. En producción ahora, los módulos ACEPACK DRIVE han sido seleccionados para la plataforma de vehículos eléctricos E-GMP de Hyundai (que es compartida por Kia EV6 y varios modelos).

Cinco nuevos módulos de potencia basados ​​en MOSFET de SiC brindan opciones flexibles para los fabricantes de vehículos, cubriendo una selección de clasificaciones de potencia y soporte para los voltajes operativos comúnmente utilizados en aplicaciones de tracción EV. Alojados en el paquete ACEPACK DRIVE de ST optimizado para aplicaciones de tracción, se dice que los módulos de potencia son confiables (debido a la tecnología de sinterización), robustos y fáciles de integrar para los fabricantes en las unidades EV. Internamente, los principales semiconductores de potencia son los MOSFET STPOWER SiC de tercera generación (Gen3) de ST, que combinan lo que se afirma que es la figura de mérito líder en la industria (RDS (ACTIVADO) x área de troquel) con energía de conmutación muy baja y excelente rendimiento en rectificación síncrona.

“Las soluciones de carburo de silicio de ST están permitiendo que los principales fabricantes de equipos originales de automóviles marquen el ritmo de la electrificación al desarrollar futuras generaciones de vehículos eléctricos”, dice Marco Monti, presidente del Grupo Automotriz y Discreto de ST. “Nuestra tecnología SiC de tercera generación garantiza la mayor densidad de potencia y eficiencia energética, lo que da como resultado un rendimiento, autonomía y tiempo de carga superiores del vehículo”.

Hyundai Motor Company ha elegido los módulos de potencia basados ​​en ACEPACK DRIVE SiC-MOSFET Gen3 de ST para su plataforma EV de generación actual, llamada E-GMP. En particular, los módulos impulsarán el Kia EV6. “Los módulos de potencia basados ​​en MOSFET de SiC de ST son la elección correcta para nuestros inversores de tracción, ya que permiten un mayor alcance”, dice Sang-Cheol Shin, equipo de diseño de ingeniería de inversores de Hyundai Motor Group. "La cooperación entre nuestras dos empresas ha dado un paso significativo hacia vehículos eléctricos más sostenibles, aprovechando la inversión tecnológica continua de ST para ser el actor líder en semiconductores en la revolución de la electrificación".

ST ya ha suministrado dispositivos STPOWER SiC para más de tres millones de automóviles de pasajeros producidos en masa en todo el mundo. Con la instalación de fabricación de sustratos de SiC completamente integrada recientemente anunciada en Catania, que se espera que comience la producción en 2023, ST se está moviendo rápidamente para respaldar la rápida transición del mercado hacia la movilidad eléctrica.

Los módulos 1200V ADP280120W3, ADP360120W3 y ADP480120W3(-L) de ST ya están en plena producción. El ACEPACK DRIVE ADP750W46075 y ADP3W61075 de 3 V estarán en plena producción en marzo de 2023. Permiten una solución plug-and-play para inversores de tracción, compatible con refrigeración líquida directa y con una matriz pin-fin para una disipación de calor eficiente. Especificados hasta una temperatura de unión máxima de 175 °C, proporcionan conexiones de ajuste a presión confiables y duraderas y dados sinterizados al sustrato para garantizar una vida útil prolongada en aplicaciones automotrices. ST ampliará la cartera de productos para incluir transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y versiones ACEPACK DRIVE basadas en diodos.

Los módulos cuentan con tecnología de sustrato de metal soldado activo (AMB), conocida por su excelente eficiencia térmica y resistencia mecánica, montando un NTC (termistor de coeficiente de temperatura negativo) dedicado para cada sustrato. También están disponibles con una opción de barra colectora soldada o atornillada, lo que brinda flexibilidad para abordar diferentes requisitos de montaje. Una opción de barra colectora larga amplía aún más la flexibilidad al permitir la elección de un sensor Hall para monitorear la corriente del motor.

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Tags: STMicroelectronics MOSFET de potencia SiC

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• Fuente: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2022/dec/st-121222.shtml