NEC desarrolla amplificador de potencia de alta velocidad y alta capacidad para redes de próxima generación

NEC desarrolla amplificador de potencia de alta velocidad y alta capacidad para redes de próxima generación

Marca de tiempo: 19 de enero de 2023 1:56 a. M.
Nodo de origen: 1907578

TOKIO, 19 de enero de 2023 - (JCN Newswire) - NEC Corporation (NEC; TSE: 6701) ha desarrollado un amplificador de potencia que servirá como dispositivo clave para acceso móvil y equipos de comunicación inalámbrica fronthaul/backhaul para permitir alta velocidad y alta -Capacidad de comunicaciones para redes 5G Advanced y 6G. Este amplificador de potencia utiliza tecnología GaAs que puede producirse en masa y ha alcanzado la potencia de salida más alta del mundo (*) de 10 mW en la banda de 150 GHz. Aprovechando esto, NEC pretende acelerar tanto el desarrollo de equipos como la implementación social.

Amplificador de potencia de banda D recientemente desarrollado

Se espera que 5G Advanced y 6G brinden comunicaciones de alta velocidad y alta capacidad de 100 Gbps, equivalente a 10 veces la velocidad del 5G actual. Esto se puede lograr de manera efectiva mediante el uso de la banda de subterahercios (100 a 300 GHz), que puede proporcionar un amplio ancho de banda de 10 GHz o más. En particular, se espera la comercialización temprana de la banda D (130 a 174.8 GHz), que está asignada internacionalmente para comunicaciones inalámbricas fijas.

NEC continúa avanzando en el desarrollo tecnológico aprovechando su conocimiento de las bandas de alta frecuencia cultivado a través del desarrollo y operación de equipos de radio para estaciones base 5G y PASOLINK, un sistema de comunicación por microondas ultracompacto que conecta estaciones base mediante comunicación inalámbrica.

El amplificador de potencia recientemente desarrollado utiliza un proceso de transistor de alta movilidad de electrones pseudomórfico (pHEMT) de arseniuro de galio (GaAs) de 0.1 μm disponible en el mercado. En comparación con CMOS y germanio de silicio (SiGe) utilizados para la banda de subterahercios, los pHEMT de GaAs tienen un voltaje de operación alto y costos iniciales más bajos para la producción en masa.

En términos de diseño de circuito, este amplificador de potencia elimina factores que degradan el rendimiento en la banda de alta frecuencia y utiliza una configuración de red de adaptación de impedancia adecuada para alta potencia de salida. Esto ha dado como resultado el logro de excelentes características de alta frecuencia entre 110 GHz y 150 GHz, así como la potencia de salida más alta del mundo para un pHEMT de GaAs.

Además de la realización de equipos de comunicación por radio de alto rendimiento y bajo costo por encima de 100 GHz, este amplificador de potencia acelerará la implementación social de 5G Advanced y 6G.

En el futuro, NEC continuará desarrollando tecnologías destinadas a lograr comunicaciones inalámbricas de alta velocidad, alta capacidad y rentables para 5G Advanced y 6G.

Esta investigación cuenta con el apoyo del Ministerio de Asuntos Internos y Comunicaciones de Japón (JPJ000254).

NEC anunciará más detalles sobre esta tecnología en la IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR2023), una conferencia internacional programada para celebrarse en Las Vegas, Nevada, EE. UU. a partir del 22 de enero de 2023.

(*) Según investigación de NEC al 19 de enero de 2023.

Acerca de NEC Corporation

NEC Corporation se ha establecido como líder en la integración de TI y tecnologías de redes al tiempo que promueve la declaración de marca de "Orquestar un mundo más brillante". NEC permite a las empresas y comunidades adaptarse a los rápidos cambios que tienen lugar tanto en la sociedad como en el mercado, ya que proporciona valores sociales de seguridad, equidad y eficiencia para promover un mundo más sostenible donde todos tengan la oportunidad de alcanzar su máximo potencial. Para obtener más información, visite NEC en www.nec.com.

Sello de tiempo:

Mas de Cable de noticias JCN