Memristores hexagonales de nitruro de boro con electrodos de níquel: mecanismos de conducción de corriente y comportamiento de conmutación resistivo (RWTH Aachen)

Investigadores de la Universidad RWTH Aachen y el Instituto Peter Gruenberg publicaron un nuevo documento técnico titulado "Mecanismos de conducción de corriente y conmutación resistiva en memristores de umbral de nitruro de boro hexagonal con electrodos de níquel".

Abstracto:

“El material aislante 2D de nitruro de boro hexagonal (h-BN) ha atraído mucha atención como medio activo en dispositivos memristivos debido a sus favorables propiedades físicas, entre otras, una amplia banda prohibida que permite una gran ventana de conmutación. La formación de filamentos metálicos se sugiere con frecuencia para los dispositivos h-BN como mecanismo de conmutación resistiva (RS), generalmente respaldado por métodos altamente especializados como la microscopía de fuerza atómica conductora (C-AFM) o la microscopía electrónica de transmisión (TEM). Aquí, la conmutación de memristores de umbral de nitruro de boro hexagonal multicapa (h-BN) con dos electrodos de níquel (Ni) se investiga a través de sus mecanismos de conducción actuales. Los estados de alta y baja resistencia se analizan mediante mediciones de corriente-voltaje dependientes de la temperatura. Se propone la formación y retracción de filamentos de níquel a lo largo de defectos de boro en la película de h-BN como mecanismo de conmutación resistivo. Los datos eléctricos se corroboran con análisis TEM para establecer mediciones de corriente-voltaje dependientes de la temperatura como una herramienta valiosa para el análisis de fenómenos de conmutación resistiva en memristores hechos de materiales 2D. Los memristores exhiben un rango de operación de corriente amplio y sintonizable y corrientes de espera bajas, en línea con el estado del arte en los interruptores de umbral basados ​​en h-BN, una baja variabilidad de ciclo a ciclo del 5% y un gran On /relación de desactivación de 10⁷."

Encuentra los documento técnico aquí. Publicado en mayo de 2023.

Volkel, L., braun, d., Belete, M., Kataria, S., Wahlbrink, T., ran, k., Kistermann, K., mayer, j., Menzel, S., Daus, A., Déjame, MC, Mecanismos de conducción de corriente y conmutación resistiva en memristores de umbral de nitruro de boro hexagonal con electrodos de níquel. Adv. Función Mate. 2023, 2300428. https://doi.org/10.1002/adfm.202300428.

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• Fuente: https://semiengineering.com/hexagonal-boron-nitride-memristors-with-nickel-electrodes-current-conduction-mechanisms-resistive-switching-behavior-rwth-aachen/