Mejora del rendimiento del transistor mediante la reducción de la resistencia de contacto mediante el uso de materiales 2D

Mejora del rendimiento del transistor mediante la reducción de la resistencia de contacto mediante el uso de materiales 2D

Marca de tiempo: 10 de marzo de 2023 2:53 p.m.
Nodo de origen: 2018488

Los transistores son los componentes básicos de la electrónica moderna y su rendimiento es esencial para el funcionamiento de muchos dispositivos. Uno de los factores clave que limitan el rendimiento del transistor es la resistencia de contacto, que es la resistencia entre la fuente y el drenaje del transistor. Esta resistencia puede causar pérdida de potencia y limitar la velocidad del transistor. Afortunadamente, los avances recientes en materiales bidimensionales (2D) han permitido a los investigadores reducir la resistencia de contacto y mejorar el rendimiento del transistor.

Los materiales 2D son una clase de materiales que tienen solo unos pocos átomos de espesor. Estos materiales tienen propiedades únicas que los hacen ideales para su uso en transistores. Por ejemplo, son altamente conductivos y tienen baja resistencia de contacto. Esto significa que pueden usarse para reducir la resistencia entre la fuente y el drenaje de un transistor, mejorando así su rendimiento.

Los investigadores han desarrollado varios métodos para reducir la resistencia de contacto utilizando materiales 2D. Un enfoque es usar materiales 2D como un "puente" entre la fuente y el drenaje de un transistor. Este puente reduce la distancia entre los dos contactos, reduciendo así la resistencia de contacto. Otro enfoque es utilizar materiales 2D como una "barrera" entre la fuente y el drenaje. Esta barrera evita la fuga de corriente, reduciendo así la resistencia de contacto.

Además de reducir la resistencia de contacto, los materiales 2D también se pueden usar para mejorar otros aspectos del rendimiento del transistor. Por ejemplo, se pueden usar para reducir la fuga de puerta, que es la cantidad de corriente que se filtra a través de la puerta de un transistor. Esto reduce el consumo de energía y aumenta la velocidad. Además, los materiales 2D se pueden usar para aumentar el voltaje de ruptura de un transistor, que es el voltaje máximo que puede soportar antes de fallar.

En general, los materiales 2D han permitido a los investigadores reducir la resistencia de contacto y mejorar el rendimiento del transistor. Mediante el uso de estos materiales como puentes o barreras entre la fuente y el drenaje de un transistor, los investigadores pueden reducir la resistencia de contacto y mejorar otros aspectos del rendimiento del transistor. Esto ha permitido a los investigadores crear transistores más rápidos y eficientes que pueden usarse en una variedad de aplicaciones.

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