Transistor reconfigurable en forma de cruz (CS-RFET) con enrutamiento de señal flexible

Investigadores de NaMLab gGmbH, École Centrale de Lyon y TU Dresden publicaron un nuevo documento técnico titulado "Transistor de efecto de campo reconfigurable de forma cruzada para enrutamiento de señal flexible".

“Se presenta un estudio completo y detallado de las características eléctricas del transistor de efecto de campo reconfigurable en forma de cruz. El dispositivo fabricado demuestra características de transistor casi iguales para cada rama, lo que permite introducir nuevos diseños de circuitos complementarios. Demostramos un inversor y un circuito multiplexor, ambos construidos a partir de los mismos dos transistores con una funcionalidad mejorada en comparación con una configuración de fuente única”, afirma el documento.

Encuentra los documento técnico aquí. Publicado en mayo de 2023.

Cigdem Cakirlar, Maik Simon, Giulio Galderisi, Ian O'Connor, Thomas Mikolajick, Jens Trommer,
Transistor de efecto de campo reconfigurable en forma de cruz para enrutamiento de señal flexible, Materials Today Electronics, 2023,100040, ISSN 2772-9494, https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100040.

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• Fuente: https://semiengineering.com/cross-shaped-reconfigurable-transistor-cs-rfet-with-flexible-signal-routing/