Η τεχνολογία IC ελέγχου εξαιρετικά υψηλής ταχύτητας της ROHM μεγιστοποιεί την απόδοση των συσκευών μεταγωγής GaN

Η τεχνολογία IC ελέγχου εξαιρετικά υψηλής ταχύτητας της ROHM μεγιστοποιεί την απόδοση των συσκευών μεταγωγής GaN

Κόμβος πηγής: 2537134

23 Μαρτίου 2023

Λόγω των ανώτερων χαρακτηριστικών μεταγωγής υψηλής ταχύτητας, η υιοθέτηση των συσκευών GaN έχει επεκταθεί τα τελευταία χρόνια. Ωστόσο, η ταχύτητα των IC ελέγχου (για την κατεύθυνση της οδήγησης αυτών των συσκευών) έχει γίνει προκλητική.

Σε απάντηση, η ιαπωνική εταιρεία κατασκευής ημιαγωγών ισχύος ROHM Co Ltd εξέλιξε περαιτέρω την τεχνολογία Nano Pulse Control εξαιρετικά υψηλής ταχύτητας (η οποία έχει σχεδιαστεί για IC τροφοδοσίας), βελτιώνοντας το πλάτος του παλμού ελέγχου από τα συμβατικά 9ns σε αυτό που φέρεται να είναι μια βιομηχανία-best of 2ns. Η αξιοποίηση αυτής της τεχνολογίας επέτρεψε στη ROHM να δημιουργήσει την τεχνολογία IC Control εξαιρετικά υψηλής ταχύτητας, η οποία μπορεί να μεγιστοποιήσει την απόδοση των συσκευών GaN.

Η σμίκρυνση του κυκλώματος τροφοδοσίας απαιτεί μείωση του μεγέθους των περιφερειακών εξαρτημάτων μέσω μεταγωγής υψηλής ταχύτητας, λέει η ROHM. Για να επιτευχθεί αυτό απαιτείται ένα IC ελέγχου που μπορεί να εκμεταλλευτεί την απόδοση της μονάδας μεταγωγής συσκευών υψηλής ταχύτητας όπως το GaN.

Για να προτείνει λύσεις που περιλαμβάνουν περιφερειακά εξαρτήματα, η ROHM καθιέρωσε την τεχνολογία IC Control εξαιρετικά υψηλής ταχύτητας, βελτιστοποιημένη για συσκευές GaN που χρησιμοποιούν την αποκλειστική τεχνολογία αναλογικής τροφοδοσίας Nano Pulse Control. Η τεχνολογία ελέγχου παλμών εξαιρετικά υψηλής ταχύτητας της ROHM επιτυγχάνει χρόνο ενεργοποίησης (πλάτος ελέγχου του τροφοδοτικού IC) της τάξης των νανοδευτερόλεπτων, καθιστώντας δυνατή τη μετατροπή από υψηλή σε χαμηλή τάση χρησιμοποιώντας ένα μόνο IC — σε αντίθεση με τις συμβατικές λύσεις που απαιτούν δύο IC τροφοδοσίας.

Η ROHM εργάζεται για την εμπορευματοποίηση των IC Control που χρησιμοποιούν αυτήν την τεχνολογία, με σχέδια να ξεκινήσει την αποστολή δειγμάτων μονοκάναλου DC-DC Control IC 100V το δεύτερο εξάμηνο του 2023. Η χρήση του, σε συνδυασμό με τη σειρά συσκευών GaN της ROHM EcoGaN, αναμένεται να έχει ως αποτέλεσμα σε σημαντική εξοικονόμηση ενέργειας και σμίκρυνση σε ποικίλες εφαρμογές, συμπεριλαμβανομένων σταθμών βάσης, κέντρων δεδομένων, εξοπλισμού FA (εργοστασιακός αυτοματισμός) και drones (Εικόνα 1).

«Το GaN αναμενόταν για πολλά χρόνια ως ένα ημιαγωγικό υλικό ισχύος που μπορεί να επιτύχει εξοικονόμηση ενέργειας, αλλά υπάρχουν εμπόδια όπως η ποιότητα και το κόστος», σημειώνει ο καθηγητής Yusuke Mori, Graduate School of Engineering, Πανεπιστήμιο της Οσάκα. «Υπό αυτές τις συνθήκες, η ROHM έχει δημιουργήσει ένα σύστημα μαζικής παραγωγής για συσκευές GaN που παρέχουν βελτιωμένη αξιοπιστία ενώ παράλληλα αναπτύσσει IC ελέγχου που μπορούν να μεγιστοποιήσουν την απόδοσή τους. Αυτό αντιπροσωπεύει ένα τεράστιο βήμα προς την ευρεία υιοθέτηση των συσκευών GaN», προσθέτει. «Ελπίζω να συνεισφέρω στην επίτευξη μιας κοινωνίας χωρίς ανθρακούχες εκπομπές, συνεργαζόμενοι με την τεχνολογία γκοφρέτας GaN-on-GaN».

Έλεγχος τεχνολογίας IC

Η ROHM λέει ότι η τεχνολογία Nano Pulse Control στο νέο Control IC της έχει καλλιεργηθεί χρησιμοποιώντας το κάθετα ολοκληρωμένο σύστημα παραγωγής της για να συνδυάσει την προηγμένη αναλογική τεχνογνωσία που καλύπτει τον σχεδιασμό, τις διαδικασίες και τη διάταξη κυκλωμάτων. Η χρήση μιας μοναδικής διαμόρφωσης κυκλώματος για τη σημαντική μείωση του ελάχιστου πλάτους παλμού ελέγχου του IC ελέγχου από τα συμβατικά 9 ns σε 2 ns καθιστά δυνατή τη μείωση από υψηλές τάσεις (έως 60 V) σε χαμηλές τάσεις (μέχρι 0.6 V) με μία μόνο ισχύ παροχή IC σε εφαρμογές 24V και 48V. Επίσης, η υποστήριξη για μικρότερα περιφερειακά εξαρτήματα μετάδοσης κίνησης για εναλλαγή υψηλής συχνότητας συσκευών GaN συρρικνώνει την περιοχή τοποθέτησης κατά περίπου 86% σε σύγκριση με τις συμβατικές λύσεις όταν συνδυάζεται με ένα κύκλωμα τροφοδοσίας EcoGaN (βλ. Σχήματα 2 και 3).

Ετικέτες: GaN HEMT Ρομ

Επισκεφθείτε την ιστοσελίδα: www.rohm.com

Σφραγίδα ώρας:

Περισσότερα από Ημιαγωγός σήμερα