Ιδιότητες των υπερσύγχρονων εμπορικά διαθέσιμων τρανζίστορ SiC και GaN

Ιδιότητες των υπερσύγχρονων εμπορικά διαθέσιμων τρανζίστορ SiC και GaN

Κόμβος πηγής: 3062833

Μια τεχνική εργασία με τίτλο «Ανασκόπηση και προοπτικές για συσκευές GaN και SiC Power Devices: Industrial State-of-the-Art, Applications and Perspectives» δημοσιεύτηκε από ερευνητές στο Πανεπιστήμιο της Πάντοβα.

Περίληψη:

«Παρουσιάζουμε μια ολοκληρωμένη ανασκόπηση και προοπτική των τρανζίστορ καρβιδίου του πυριτίου (SiC) και νιτριδίου του γαλλίου (GaN) που διατίθενται στην αγορά για ηλεκτρονικά ισχύος τρέχουσας και επόμενης γενιάς. Οι ιδιότητες του υλικού και οι δομικές διαφορές μεταξύ των συσκευών GaN και SiC συζητούνται αρχικά. Με βάση την ανάλυση διαφορετικών τρανζίστορ ισχύος GaN και SiC που διατίθενται στο εμπόριο, περιγράφουμε την τελευταία λέξη της τεχνολογίας αυτών των τεχνολογιών, επισημαίνοντας τις προτιμησιακές τοπολογίες μετατροπής ισχύος και τα βασικά χαρακτηριστικά κάθε τεχνολογικής πλατφόρμας. Εξετάζονται επίσης τα τρέχοντα και μελλοντικά πεδία εφαρμογής για συσκευές GaN και SiC. Το άρθρο αναφέρει επίσης τις κύριες πτυχές αξιοπιστίας που σχετίζονται και με τις δύο τεχνολογίες. Για τα GaN HEMTs, περιγράφεται η σταθερότητα της τάσης κατωφλίου, η δυναμική αντίσταση ON και ο περιορισμός της διάσπασης, ενώ για τα SiC MOSFET η ανάλυση εστιάζει επίσης στην αστοχία του οξειδίου πύλης και στην ευρωστία βραχυκυκλώματος (SC). Τέλος, δίνουμε μια επισκόπηση της προοπτικής τέτοιων υλικών σε διαφορετικούς τομείς ενδιαφέροντος. Γίνεται μια ένδειξη πιθανών μελλοντικών βελτιώσεων και εξελίξεων και για τις δύο τεχνολογίες. Υπογραμμίζονται οι απαιτήσεις για τους υβριδικούς μετατροπείς, μαζί με την προσεκτική βελτιστοποίηση της απόδοσης και τη χρήση καινοτόμων εργαλείων βελτιστοποίησης».

Βρείτε το τεχνικό χαρτί εδώ. Δημοσιεύθηκε Ιανουάριος 2024.

M. Buffolo et al., "Review and Outlook on GaN and SiC Power Devices: Industrial State-of-the-Art, Applications and Perspectives", στο IEEE Transactions on Electron Devices, doi: 10.1109/TED.2023.3346369.

Σχετική ανάγνωση
Power Semiconductors: A Deep Dive Into Materials, Manufacturing & Business
Πώς κατασκευάζονται και λειτουργούν αυτές οι συσκευές, οι προκλήσεις στην κατασκευή, οι σχετικές νεοφυείς επιχειρήσεις, καθώς και οι λόγοι για τους οποίους δαπανάται τόση προσπάθεια και πόροι για την ανάπτυξη νέων υλικών και νέων διαδικασιών.

Σφραγίδα ώρας:

Περισσότερα από Ημι Μηχανική